العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > STH300NH02L-6
STH300NH02L-6
STH300NH02L-6
رقم القطعة:
STH300NH02L-6
الصانع:
ST
وصف:
MOSFET N-CH 24V 180A H2PAK-6
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16599 Pieces
ورقة البيانات:
STH300NH02L-6.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STH300NH02L-6 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STH300NH02L-6 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى STH300NH02L-6 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:H²PAK
سلسلة:STripFET™ III
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:1.2 mOhm @ 80A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):300W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
اسماء اخرى:497-12255-2
STH300NH02L6
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:18 Weeks
الصانع الجزء رقم:STH300NH02L-6
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:7050pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:109nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 24V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H²PAK
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):5V, 10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):24V
وصف:MOSFET N-CH 24V 180A H2PAK-6
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:180A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لSTH300NH02L-6

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IRF6892STRPBF Infineon Technologies MOSFET N CH 25V 28A S3 تحقيق
IRF730ASTRRPBF Image IRF730ASTRRPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK تحقيق
ZXMN6A08KTC Image ZXMN6A08KTC Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK تحقيق
IXTH86N20T Image IXTH86N20T IXYS MOSFET N-CH 200V 86A TO-247 تحقيق
IXFV18N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220 تحقيق
SQ2362ES-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236 تحقيق
IXFV74N20P IXYS MOSFET N-CH 200V 74A PLUS220 تحقيق
BUK9Y98-80E,115 Image BUK9Y98-80E,115 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 80V LFPAK تحقيق
R6020ENX Image R6020ENX Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 600V 20A TO220 تحقيق
IRFI630G Image IRFI630G Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220FP تحقيق
IRFIBG20G Image IRFIBG20G Vishay Siliconix MOSFET N-CH 1000V TO-220FP تحقيق
APT58MJ50J Microsemi Corporation MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP تحقيق
IXFH110N15T2 Image IXFH110N15T2 IXYS MOSFET N-CH 150V 110A TO-247 تحقيق
IRF7706GTRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP تحقيق
AUIRF1010ZS Image AUIRF1010ZS Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK تحقيق
SI4425BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC تحقيق
STB12NM50ND Image STB12NM50ND STMicroelectronics MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK تحقيق
IRFZ46Z Image IRFZ46Z Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB تحقيق
STF21N65M5 Image STF21N65M5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 17A TO-220FP تحقيق
PMN45EN,135 Image PMN45EN,135 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V 5.2A 6TSOP تحقيق

Latest الأخبار