STS3DNE60L - STMicroelectronics - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - صفائف STS3DNE60L

STS3DNE60L

رقم القطعة:: STS3DNE60L

الصانع:: ST

وصف:: MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 17040 Pieces

ورقة البيانات:: STS3DNE60L.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STS3DNE60L ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STS3DNE60L عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى STS3DNE60L مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:	1V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:	8-SO
سلسلة:	STripFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:	80 mOhm @ 1.5A, 10V
السلطة - ماكس:	2W
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
درجة حرارة التشغيل:	150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	3 (168 Hours)
الصانع الجزء رقم:	STS3DNE60L
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:	815pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:	13.5nC @ 4.5V
نوع FET:	2 N-Channel (Dual)
FET الميزة:	Logic Level Gate
وصف موسع:	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3A 2W Surface Mount 8-SO
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):	60V
وصف:	MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:	3A
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لSTS3DNE60L

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
ALD1102BSAL	Advanced Linear Devices Inc.	MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC	تحقيق
SI3850ADV-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6TSOP	تحقيق
ALD210800ASCL	Advanced Linear Devices Inc.	MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC	تحقيق
CSD83325L	Texas Instruments	MOSFET 2N-CH 12V 52A 6PICOSTAR	تحقيق
SP8K31TB1	Rohm Semiconductor	MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC	تحقيق
SLA5061	Sanken	MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A/6A 12SIP	تحقيق
IRF7316TRPBF	Infineon Technologies	MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC	تحقيق
SI1563DH-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6	تحقيق
IRF9953PBF	Infineon Technologies	MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار