يشترى STW30NM60D مع BYCHPS
شراء مع ضمان
STW30NM60D
- رقم القطعة:
- STW30NM60D
- الصانع:
- ST
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12532 Pieces
- ورقة البيانات:
- STW30NM60D.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STW30NM60D ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STW30NM60D عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247-3 |
| سلسلة: | MDmesh™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 145 mOhm @ 15A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 312W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| اسماء اخرى: | 497-4426-5 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | STW30NM60D |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2520pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 115nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 30A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 30A TO-247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTW30NM60D
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STW30NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 25A TO-247 | تحقيق |
 |
SPP07N60S5 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB | تحقيق |
|
STW30N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 22A TO-247 | تحقيق |
|
STW30NF20 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 30A TO-247 | تحقيق |
|
STW30NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 27A TO-247 | تحقيق |
 |
IXTA3N120TRL | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 | تحقيق |
|
STW3040 | STMicroelectronics | TRANS NPN 400V 30A TO-247 | تحقيق |
|
STW30NM60ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 25A TO-247 | تحقيق |
 |
SQS401EN-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 16A | تحقيق |
 |
STB35NF10T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK | تحقيق |
 |
N0602N-S19-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 100A TO-220 | تحقيق |
 |
IRFIBE30G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP | تحقيق |
 |
APT84M50B2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX | تحقيق |
|
STW30N20 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 30A TO-247 | تحقيق |
|
NTB75N03L09G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK | تحقيق |
 |
IXFN100N10S1 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog