TK9A90E,S4X
TK9A90E,S4X
رقم القطعة:
TK9A90E,S4X
الصانع:
Toshiba Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 900V TO220SIS
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12185 Pieces
ورقة البيانات:
TK9A90E,S4X.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل TK9A90E,S4X ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك TK9A90E,S4X عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى TK9A90E,S4X مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 900µA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-220SIS
سلسلة:π-MOSVIII
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:1.3 Ohm @ 4.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):50W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
اسماء اخرى:TK9A90E,S4X(S
TK9A90ES4X
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:12 Weeks
الصانع الجزء رقم:TK9A90E,S4X
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2000pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:46nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 900V 9A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220SIS
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):900V
وصف:MOSFET N-CH 900V TO220SIS
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:9A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات