يشترى TN2640N3-G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
TN2640N3-G
- رقم القطعة:
- TN2640N3-G
- وصف:
- MOSFET N-CH 400V 0.22A TO92-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15758 Pieces
- ورقة البيانات:
- TN2640N3-G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل TN2640N3-G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك TN2640N3-G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 2mA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-92-3 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 740mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 15 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | TN2640N3-G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 225pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 400V 220mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 400V |
| وصف: | MOSFET N-CH 400V 0.22A TO92-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 220mA (Tj) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTN2640N3-G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SUD50P04-09L-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 50A TO252 | تحقيق |
|
IRLR110TRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK | تحقيق |
 |
IRF3709ZCLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 87A TO-262 | تحقيق |
|
TN2640K4-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 400V 500MA 3DPAK | تحقيق |
 |
IXFV14N80PS | IXYS | MOSFET N-CH 800V 14A PLUS220-S | تحقيق |
 |
NDF06N62ZG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 620V 6A TO220FP | تحقيق |
 |
STP10N105K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1050V 6A TO-220AB | تحقيق |
 |
TN2640LG-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 400V 260MA 8SOIC | تحقيق |
 |
IRFBC30STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK | تحقيق |
 |
NTP45N06LG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB | تحقيق |
 |
IXFH230N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 230A TO-247 | تحقيق |
|
IRFR9214PBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK | تحقيق |
 |
SI2304BDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3 | تحقيق |
 |
IXTT75N20L2 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK | تحقيق |
 |
NTR1P02T3 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23 | تحقيق |
|
TN2404K-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 240V 200MA TO236 | تحقيق |
 |
RRF015P03TL | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3 | تحقيق |
 |
TPWR8503NL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog