يشترى ZXMN6A09DN8TC مع BYCHPS
شراء مع ضمان
ZXMN6A09DN8TC
- رقم القطعة:
- ZXMN6A09DN8TC
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18844 Pieces
- ورقة البيانات:
- ZXMN6A09DN8TC.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل ZXMN6A09DN8TC ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك ZXMN6A09DN8TC عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SOP |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 40 mOhm @ 8.2A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 1.25W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | ZXMN6A09DN8TC |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1407pF @ 40V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 24.2nC @ 5V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 4.3A 1.25W Surface Mount 8-SOP |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4.3A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لZXMN6A09DN8TC
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
ZXMN6A09DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC | تحقيق |
|
ZXMN6A25DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC | تحقيق |
 |
ZXMN6A09KTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK | تحقيق |
|
ZXMN6A25N8TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 8SO | تحقيق |
 |
ZXMN6A08E6QTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6 | تحقيق |
|
ZXMN6A08E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6 | تحقيق |
 |
ZXMN6A07ZTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89 | تحقيق |
 |
ZXMN6A07FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3 | تحقيق |
|
ZXMN6A08E6TC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6 | تحقيق |
 |
ZXMN6A09GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223 | تحقيق |
|
ZXMN6A07FTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3 | تحقيق |
|
ZXMN6A08GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223 | تحقيق |
|
ZXMN6A08KTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK | تحقيق |
|
ZXMN6A25GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V SOT223 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog