يشترى BLP8G10S-45PJ مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BLP8G10S-45PJ
- رقم القطعة:
- BLP8G10S-45PJ
- وصف:
- TRANS LDMOS 45W 4HSOPF
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19021 Pieces
- ورقة البيانات:
- BLP8G10S-45PJ.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLP8G10S-45PJ ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLP8G10S-45PJ عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 4-HSOPF |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 2.5W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-1223-1 |
| اسماء اخرى: | 934067371118 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع الجزء رقم: | BLP8G10S-45PJ |
| ربح: | 20.8dB |
| تردد: | 952.5MHz ~ 957.5MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 224mA 952.5MHz ~ 957.5MHz 20.8dB 2.5W 4-HSOPF |
| وصف: | TRANS LDMOS 45W 4HSOPF |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 224mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLP8G10S-45PJ
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLP8G10S-45PGJ | NXP USA Inc. | TRANS LDMOS 45W 4HSOP | تحقيق |
 |
2N3819 PBFREE | Central Semiconductor Corp | JFET N-CH 25V TO92 | تحقيق |
 |
A2T18S162W31GSR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
 |
PTAB182002TCV2R250XUMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | تحقيق |
 |
MRF6V2300NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 | تحقيق |
 |
BG3130RE6327BTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363 | تحقيق |
 |
MRF6S20010NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2 | تحقيق |
 |
CGH60008D | Cree/Wolfspeed | RF MOSFET HEMT 28V DIE | تحقيق |
 |
RFM03U3CT(TE12L) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH RF-CST3 | تحقيق |
 |
BF998RE6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH RF 12V 30MA SOT-143 | تحقيق |
 |
VMMK-1218-BLKG | Broadcom Limited | FET RF 5V 10GHZ 0402 | تحقيق |
 |
MRF6S19120HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.99GHZ NI-780 | تحقيق |
|
AFT21S140W02GSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.14GHZ NI-780S-2 | تحقيق |
 |
PTFA091201GL V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2 | تحقيق |
 |
NE3509M04-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog