يشترى BSD223P L6327 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BSD223P L6327
- رقم القطعة:
- BSD223P L6327
- وصف:
- MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16708 Pieces
- ورقة البيانات:
- BSD223P L6327.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSD223P L6327 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSD223P L6327 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.2V @ 1.5µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-SOT363-6 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V |
| السلطة - ماكس: | 250mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| اسماء اخرى: | SP000245417 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BSD223P L6327 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 56pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 0.62nC @ 4.5V |
| نوع FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 390mA 250mW Surface Mount PG-SOT363-6 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 390mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBSD223P L6327
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
ALD1102BSAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC | تحقيق |
 |
BSD223P | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 | تحقيق |
|
BSD223PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 | تحقيق |
 |
STS3DNE60L | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC | تحقيق |
|
ALD210800ASCL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC | تحقيق |
 |
SP8K31TB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC | تحقيق |
 |
SI1563DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6 | تحقيق |
 |
IRF9953PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC | تحقيق |
|
IRF7316TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC | تحقيق |
 |
CSD83325L | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 12V 52A 6PICOSTAR | تحقيق |
 |
SLA5061 | Sanken | MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A/6A 12SIP | تحقيق |
 |
SI3850ADV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6TSOP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog