يشترى BSS192PE6327T مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BSS192PE6327T
- رقم القطعة:
- BSS192PE6327T
- وصف:
- MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17467 Pieces
- ورقة البيانات:
- BSS192PE6327T.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSS192PE6327T ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSS192PE6327T عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 130µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-SOT89 |
| سلسلة: | SIPMOS® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 12 Ohm @ 190mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-243AA |
| اسماء اخرى: | BSS192PE6327XTINTR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BSS192PE6327T |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 104pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 6.1nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 250V 190mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 250V |
| وصف: | MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 190mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBSS192PE6327T
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BSS192PE6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 | تحقيق |
 |
APT44F80L | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 44A TO-264 | تحقيق |
 |
IRFR3504ZTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 42A DPAK | تحقيق |
|
BSS192PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89 | تحقيق |
|
BSS192PH6327FTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 | تحقيق |
 |
BST82,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23 | تحقيق |
 |
IXFH50N85X | IXYS | 850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS | تحقيق |
 |
IRF8113PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | تحقيق |
|
BSS192PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 | تحقيق |
 |
IPP180N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3 | تحقيق |
 |
IRL520L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-262 | تحقيق |
 |
FK3303010L | Panasonic Electronic Components | MOSFET N-CH 30V 100MA SSSMINI3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog