يشترى BSS192PH6327FTSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BSS192PH6327FTSA1
- رقم القطعة:
- BSS192PH6327FTSA1
- وصف:
- MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18757 Pieces
- ورقة البيانات:
- BSS192PH6327FTSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSS192PH6327FTSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSS192PH6327FTSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 130µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-SOT89 |
| سلسلة: | SIPMOS® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 12 Ohm @ 190mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | TO-243AA |
| اسماء اخرى: | BSS192PH6327FTSA1DKR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BSS192PH6327FTSA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 104pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 6.1nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 250V 190mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 2.8V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 250V |
| وصف: | MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 190mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBSS192PH6327FTSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SI5461EDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 4.5A CHIPFET | تحقيق |
 |
IXTP14N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 14A TO-220 | تحقيق |
 |
BSS192PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 | تحقيق |
 |
ECH8310-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 9A ECH8 | تحقيق |
|
BSS192PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89 | تحقيق |
 |
APTM100UM65SAG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 145A SP6 | تحقيق |
 |
IPA50R399CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3 | تحقيق |
|
BSS192PE6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 | تحقيق |
 |
AOW284 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 80V 15A TO262 | تحقيق |
|
BSS192PE6327T | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 | تحقيق |
 |
BSP372L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 | تحقيق |
 |
SPP08P06PBKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220AB | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog