يشترى BSS192PE6327 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BSS192PE6327
- رقم القطعة:
- BSS192PE6327
- وصف:
- MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14758 Pieces
- ورقة البيانات:
- BSS192PE6327.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSS192PE6327 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSS192PE6327 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 130µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-SOT89 |
| سلسلة: | SIPMOS® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 12 Ohm @ 190mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-243AA |
| اسماء اخرى: | BSS192PE6327INTR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BSS192PE6327 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 104pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 6.1nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 250V 190mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 250V |
| وصف: | MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 190mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBSS192PE6327
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SI3429EDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S | تحقيق |
 |
BSS192PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89 | تحقيق |
|
BSS192PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 | تحقيق |
|
BSS192PE6327T | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 | تحقيق |
 |
IPU103N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3 | تحقيق |
 |
SI4646DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC | تحقيق |
 |
FDS6375 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IRFR220BTM_FP001 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 4.6A DPAK | تحقيق |
 |
IPI06N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A I2PAK | تحقيق |
|
BSS192PH6327FTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 | تحقيق |
 |
IXTT10P50 | IXYS | MOSFET P-CH 500V 10A TO-268 | تحقيق |
 |
BSC032N03SG | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | تحقيق |
 |
AOB10N60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO263 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog