يشترى BSS192PH6327XTSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BSS192PH6327XTSA1
- رقم القطعة:
- BSS192PH6327XTSA1
- وصف:
- MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18944 Pieces
- ورقة البيانات:
- BSS192PH6327XTSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSS192PH6327XTSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSS192PH6327XTSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 130µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-SOT89 |
| سلسلة: | SIPMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 12 Ohm @ 190mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-243AA |
| اسماء اخرى: | SP001195030 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BSS192PH6327XTSA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 104pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 6.1nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 250V 190mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 250V |
| وصف: | MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 190mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBSS192PH6327XTSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BSS192PE6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 | تحقيق |
 |
2SK3309(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL | تحقيق |
|
BSS192PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 | تحقيق |
|
BSS192PH6327FTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 | تحقيق |
 |
NDUL09N150CG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 1500V 9A TO3PF-3 | تحقيق |
 |
APT20M45BVFRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 56A TO-247 | تحقيق |
 |
BSO203SP H | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 7A 8DSO | تحقيق |
 |
2N7002LT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23 | تحقيق |
 |
SI6469DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 8TSSOP | تحقيق |
|
BSS192PE6327T | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 | تحقيق |
 |
BUK9606-40B,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | تحقيق |
 |
IPP65R380E6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog