العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IPB230N06L3GATMA1
IPB230N06L3GATMA1
IPB230N06L3GATMA1
رقم القطعة:
IPB230N06L3GATMA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16058 Pieces
ورقة البيانات:
IPB230N06L3GATMA1.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPB230N06L3GATMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPB230N06L3GATMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPB230N06L3GATMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.2V @ 11µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO263-2
سلسلة:OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:23 mOhm @ 30A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):36W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
اسماء اخرى:IPB230N06L3 G
IPB230N06L3 G-ND
IPB230N06L3 GTR-ND
SP000457584
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IPB230N06L3GATMA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1600pF @ 30V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:10nC @ 4.5V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 60V 30A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):60V
وصف:MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIPB230N06L3GATMA1

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
RSS140N03TB Image RSS140N03TB Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC تحقيق
IXTP230N075T2 Image IXTP230N075T2 IXYS MOSFET N-CH 75V 230A TO-220 تحقيق
FQI32N20CTU Image FQI32N20CTU Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 28A I2PAK تحقيق
STF15N65M5 Image STF15N65M5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 11A TO-220FP تحقيق
IRFS4229PBF Image IRFS4229PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK تحقيق
FDS7760A Image FDS7760A Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC تحقيق
AUIRFS8408 Image AUIRFS8408 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK تحقيق
STD65N55LF3 Image STD65N55LF3 STMicroelectronics MOSFET N-CH 55V 80A DPAK تحقيق
CSD17483F4T Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR تحقيق
IXTA06N120P Image IXTA06N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263 تحقيق
IRFR210TRLPBF Image IRFR210TRLPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK تحقيق
SPI100N03S2L-03 Image SPI100N03S2L-03 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 100A TO-262 تحقيق
IRF710 Image IRF710 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 400V 2A TO-220AB تحقيق
APT22F120L Image APT22F120L Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1200V 23A TO264 تحقيق
MMIX1F210N30P3 IXYS MOSFET N-CH 300V 108A MMIX تحقيق
IRFP064VPBF Image IRFP064VPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 130A TO-247AC تحقيق
NVMFS6B05NWFT1G Image NVMFS6B05NWFT1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 104A SO8FL تحقيق
DMP1100UCB4-7 Image DMP1100UCB4-7 Diodes Incorporated MOSFET P-CHA 12V 2.5A WLB0808 تحقيق
IRFR9220TRR Image IRFR9220TRR Vishay Siliconix MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK تحقيق
IRF9Z34NSTRLPBF Image IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK تحقيق

Latest الأخبار