يشترى IXTA06N120P مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTA06N120P
- رقم القطعة:
- IXTA06N120P
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17703 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTA06N120P.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTA06N120P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTA06N120P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 50µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-263 (IXTA) |
| سلسلة: | PolarVHV™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 32 Ohm @ 300mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 42W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | 617329 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTA06N120P |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 270pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 13.3nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 1200V (1.2kV) 600mA (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| وصف: | MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 600mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTA06N120P
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTA08N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK | تحقيق |
|
IXTA08N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263 | تحقيق |
|
IXTA02N250HV | IXYS | MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 | تحقيق |
 |
SVD2955T4G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK | تحقيق |
 |
IRL530NSTRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK | تحقيق |
 |
IRLU3103PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK | تحقيق |
 |
IRF5210L | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 40A TO-262 | تحقيق |
 |
2SK4066-DL-1E | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 100A | تحقيق |
|
IXTA05N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263 | تحقيق |
|
IXTA02N450HV | IXYS | MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263 | تحقيق |
 |
IXTA05N100HV | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263 | تحقيق |
|
IXTA08N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK | تحقيق |
|
IXTA02N250 | IXYS | MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 | تحقيق |
 |
FDMS8880 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 13.5A POWER56 | تحقيق |
 |
BSP171PE6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 | تحقيق |
 |
HUFA76429D3 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 20A IPAK | تحقيق |
 |
SI1304BDL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 0.9A SC-70-3 | تحقيق |
|
IXTA08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263 | تحقيق |
|
SUM110P08-11L-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 80V 110A D2PAK | تحقيق |
 |
STL23NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 2.8A PWRFLT 8X8 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog