IPD30N03S2L10ATMA1
IPD30N03S2L10ATMA1
رقم القطعة:
IPD30N03S2L10ATMA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18647 Pieces
ورقة البيانات:
IPD30N03S2L10ATMA1.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPD30N03S2L10ATMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPD30N03S2L10ATMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPD30N03S2L10ATMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2V @ 50µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO252-3
سلسلة:OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:10 mOhm @ 30A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):100W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
اسماء اخرى:IPD30N03S2L-10
IPD30N03S2L-10-ND
SP000254465
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:26 Weeks
الصانع الجزء رقم:IPD30N03S2L10ATMA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1200pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:42nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 30V 30A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات