العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IPD75N04S406ATMA1
IPD75N04S406ATMA1
IPD75N04S406ATMA1
رقم القطعة:
IPD75N04S406ATMA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3-313
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19888 Pieces
ورقة البيانات:
IPD75N04S406ATMA1.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPD75N04S406ATMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPD75N04S406ATMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPD75N04S406ATMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 26µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO252-3-313
سلسلة:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:5.9 mOhm @ 75A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):58W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
اسماء اخرى:IPD75N04S4-06
IPD75N04S4-06-ND
SP000711472
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:26 Weeks
الصانع الجزء رقم:IPD75N04S406ATMA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2550pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:32nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 40V 75A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):40V
وصف:MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3-313
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:75A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIPD75N04S406ATMA1

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
APT22F120L Image APT22F120L Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1200V 23A TO264 تحقيق
MMIX1F210N30P3 IXYS MOSFET N-CH 300V 108A MMIX تحقيق
AUIRFS8408 Image AUIRFS8408 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK تحقيق
FDS7760A Image FDS7760A Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC تحقيق
IXTP230N075T2 Image IXTP230N075T2 IXYS MOSFET N-CH 75V 230A TO-220 تحقيق
IXTA06N120P Image IXTA06N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263 تحقيق
SPI100N03S2L-03 Image SPI100N03S2L-03 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 100A TO-262 تحقيق
IRFR210TRLPBF Image IRFR210TRLPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK تحقيق
NVMFS6B05NWFT1G Image NVMFS6B05NWFT1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 104A SO8FL تحقيق
CSD17483F4T Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR تحقيق
STD65N55LF3 Image STD65N55LF3 STMicroelectronics MOSFET N-CH 55V 80A DPAK تحقيق
IRFS4229PBF Image IRFS4229PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK تحقيق
IRF710 Image IRF710 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 400V 2A TO-220AB تحقيق
RSS140N03TB Image RSS140N03TB Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC تحقيق
IRFR9220TRR Image IRFR9220TRR Vishay Siliconix MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK تحقيق
IRFP064VPBF Image IRFP064VPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 130A TO-247AC تحقيق
FQI32N20CTU Image FQI32N20CTU Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 28A I2PAK تحقيق
SI7455DP-T1-GE3 Image SI7455DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8 تحقيق
STF15N65M5 Image STF15N65M5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 11A TO-220FP تحقيق
IRF9Z34NSTRLPBF Image IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK تحقيق

Latest الأخبار