العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFL30N120P
IXFL30N120P
IXFL30N120P
رقم القطعة:
IXFL30N120P
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12241 Pieces
ورقة البيانات:
IXFL30N120P.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFL30N120P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFL30N120P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFL30N120P مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:6.5V @ 1mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:ISOPLUSi5-Pak™
سلسلة:HiPerFET™, PolarP2™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:380 mOhm @ 15A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):357W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:ISOPLUSi5-Pak™
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFL30N120P
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:19000pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:310nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 1200V (1.2kV) 18A (Tc) 357W (Tc) Through Hole ISOPLUSi5-Pak™
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):1200V (1.2kV)
وصف:MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFL30N120P

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
SIHP15N50E-GE3 Image SIHP15N50E-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-220AB تحقيق
FDP100N10 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 75A TO-220 تحقيق
IXFL39N90 IXYS MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264 تحقيق
IXTP44N15T Image IXTP44N15T IXYS MOSFET N-CH 150V 44A TO-220 تحقيق
IXFL32N120P Image IXFL32N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 24A I5-PAK تحقيق
IRFU210PBF Image IRFU210PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 2.6A I-PAK تحقيق
BSS138Q-7-F Image BSS138Q-7-F Diodes Incorporated MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT23 تحقيق
IXFL34N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS264 تحقيق
RTF025N03TL Image RTF025N03TL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3 تحقيق
RCJ300N20TL Image RCJ300N20TL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 200V 30A LPTS تحقيق
STP2N105K5 Image STP2N105K5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 1050V 1.5A TO-220AB تحقيق
STD12N65M5 Image STD12N65M5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 8.5A DPAK تحقيق
RSY500N04FRATL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 40V 50A TCPT3 تحقيق
IRF6215L-103 Image IRF6215L-103 Infineon Technologies MOSFET P-CH 150V 13A TO262 تحقيق
IPB034N03L G Image IPB034N03L G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3 تحقيق
IRFI2807 Image IRFI2807 Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 40A TO220FP تحقيق
IXFL38N100Q2 Image IXFL38N100Q2 IXYS MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264 تحقيق
HUF75343S3 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 55V 75A TO-262AA تحقيق
IXFL38N100P Image IXFL38N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 29A I5-PAK تحقيق
BSZ520N15NS3 G Image BSZ520N15NS3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON تحقيق

Latest الأخبار