العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFL38N100Q2
IXFL38N100Q2
IXFL38N100Q2
رقم القطعة:
IXFL38N100Q2
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17786 Pieces
ورقة البيانات:
IXFL38N100Q2.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFL38N100Q2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFL38N100Q2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFL38N100Q2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5.5V @ 8mA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:ISOPLUS264™
سلسلة:HiPerFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:280 mOhm @ 19A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):380W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:ISOPLUS264™
اسماء اخرى:614235
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFL38N100Q2
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:13500pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:250nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 1000V (1kV) 29A (Tc) 380W (Tc) Through Hole ISOPLUS264™
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):1000V (1kV)
وصف:MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:29A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFL38N100Q2

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
SI7174DP-T1-GE3 Image SI7174DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8 تحقيق
IXFL38N100P Image IXFL38N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 29A I5-PAK تحقيق
IXFL34N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS264 تحقيق
EPC8002 Image EPC8002 EPC TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE تحقيق
IXFL39N90 IXYS MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264 تحقيق
IXFL32N120P Image IXFL32N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 24A I5-PAK تحقيق
SIR476DP-T1-GE3 Image SIR476DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 تحقيق
ZXMN2A01FTC Image ZXMN2A01FTC Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3 تحقيق
ECH8320-TL-H Image ECH8320-TL-H ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 9.5A ECH8 تحقيق
BSS84LT1G Image BSS84LT1G ON Semiconductor MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 تحقيق
DMP6185SE-7 Diodes Incorporated MOSFET PCH 60V 3A SOT223 تحقيق
FQI8N60CTU Image FQI8N60CTU Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK تحقيق
IPA60R600E6XKSA1 Image IPA60R600E6XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220 تحقيق
NTMFS4936NCT3G Image NTMFS4936NCT3G ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 11.6A SO-8FL تحقيق
IXFH26N50P3 Image IXFH26N50P3 IXYS MOSFET N-CH 500V 26A TO-247 تحقيق
IXFL30N120P Image IXFL30N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK تحقيق

Latest الأخبار