العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFL32N120P
IXFL32N120P
IXFL32N120P
رقم القطعة:
IXFL32N120P
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 1200V 24A I5-PAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19208 Pieces
ورقة البيانات:
IXFL32N120P.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFL32N120P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFL32N120P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFL32N120P مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:6.5V @ 1mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:ISOPLUSi5-Pak™
سلسلة:HiPerFET™, PolarP2™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:340 mOhm @ 16A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):520W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:ISOPLUSi5-Pak™
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:12 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFL32N120P
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:21000pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:360nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 1200V (1.2kV) 24A (Tc) 520W (Tc) Through Hole ISOPLUSi5-Pak™
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):1200V (1.2kV)
وصف:MOSFET N-CH 1200V 24A I5-PAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:24A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFL32N120P

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
FQP10N20CTSTU Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220 تحقيق
IXFL38N100Q2 Image IXFL38N100Q2 IXYS MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264 تحقيق
IXFL30N120P Image IXFL30N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK تحقيق
FDD850N10L Image FDD850N10L Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK-3 تحقيق
IRLR7843CTRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 161A DPAK تحقيق
IRFR3303PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 33A DPAK تحقيق
STI18N60M2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 9A I2PAK تحقيق
IXFL39N90 IXYS MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264 تحقيق
IXFL38N100P Image IXFL38N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 29A I5-PAK تحقيق
SI4324DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC تحقيق
FDD86567_F085 Image FDD86567_F085 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 100A DPAK تحقيق
PHB78NQ03LT,118 Image PHB78NQ03LT,118 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 25V 40A D2PAK تحقيق
IRL620STRR Image IRL620STRR Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK تحقيق
SI2308DS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3 تحقيق
DN3135K1-G Image DN3135K1-G Microchip Technology MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3 تحقيق
IRF740S Image IRF740S Vishay Siliconix MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK تحقيق
APT24M80B Image APT24M80B Microsemi Corporation MOSFET N-CH 800V 25A TO-247 تحقيق
AOT1606L Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 60V 178A TO220 تحقيق
IXFL34N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS264 تحقيق
IRFB4215 Image IRFB4215 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 115A TO-220AB تحقيق

Latest الأخبار