العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFQ20N50P3
IXFQ20N50P3
IXFQ20N50P3
رقم القطعة:
IXFQ20N50P3
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16090 Pieces
ورقة البيانات:
IXFQ20N50P3.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFQ20N50P3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFQ20N50P3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFQ20N50P3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 1.5mA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-3P
سلسلة:HiPerFET™, Polar3™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:300 mOhm @ 10A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):380W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-3P-3, SC-65-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFQ20N50P3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1800pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:36nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 500V 20A (Tc) 380W (Tc) Through Hole TO-3P
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):500V
وصف:MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFQ20N50P3

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXFQ26N50Q Image IXFQ26N50Q IXYS MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P تحقيق
FQD30N06TF_F080 Image FQD30N06TF_F080 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK تحقيق
STD44N4LF6 Image STD44N4LF6 STMicroelectronics MOSFET N-CH 40V 44A DPAK تحقيق
IXFQ23N60Q Image IXFQ23N60Q IXYS MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3) تحقيق
IXFQ26N50 Image IXFQ26N50 IXYS MOSFET N-CH 500V 26A TO-30 تحقيق
SSM6P16FE(TE85L,F) Image SSM6P16FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6 تحقيق
IXFQ24N50P2 Image IXFQ24N50P2 IXYS 500V POLAR2 HIPERFETS تحقيق
SI3477DV-T1-GE3 Image SI3477DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP تحقيق
IXFQ26N50P3 Image IXFQ26N50P3 IXYS MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P تحقيق
FDMS0310S Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 19A تحقيق
IPD60R385CPBTMA1 Image IPD60R385CPBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 9A TO-252 تحقيق
IRF7416PBF Image IRF7416PBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC تحقيق
PHK18NQ03LT,518 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC تحقيق
STF7N95K3 Image STF7N95K3 STMicroelectronics MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220FP تحقيق
IXFQ24N60X Image IXFQ24N60X IXYS MOSFET N-CH 600V 24A TO-3P تحقيق
IRFH5004TR2PBF Image IRFH5004TR2PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN تحقيق
IXFQ21N50Q Image IXFQ21N50Q IXYS MOSFET N-CH 500V 21A TO-3P تحقيق
IXFQ28N60P3 Image IXFQ28N60P3 IXYS MOSFET N-CH 600V 28A TO3P تحقيق
IXFQ22N60P3 Image IXFQ22N60P3 IXYS MOSFET N-CH 600V 22A TO3P تحقيق
IXFQ24N50Q Image IXFQ24N50Q IXYS MOSFET N-CH 500V 24A TO-3P تحقيق

Latest الأخبار