العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFQ22N60P3
IXFQ22N60P3
IXFQ22N60P3
رقم القطعة:
IXFQ22N60P3
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 600V 22A TO3P
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14338 Pieces
ورقة البيانات:
IXFQ22N60P3.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFQ22N60P3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFQ22N60P3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFQ22N60P3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 1.5mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-3P
سلسلة:HiPerFET™, Polar3™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:360 mOhm @ 11A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):500W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-3P-3, SC-65-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:6 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFQ22N60P3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2600pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:38nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 22A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3P
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 22A TO3P
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:22A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFQ22N60P3

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IRF6655TR1PBF Image IRF6655TR1PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET تحقيق
IXFQ26N50P3 Image IXFQ26N50P3 IXYS MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P تحقيق
STD6NK50ZT4 Image STD6NK50ZT4 STMicroelectronics MOSFET N-CH 500V 5.6A DPAK تحقيق
DMT10H010LPS-13 Image DMT10H010LPS-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 9.4A تحقيق
IXFQ23N60Q Image IXFQ23N60Q IXYS MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3) تحقيق
IXFQ20N50P3 Image IXFQ20N50P3 IXYS MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P تحقيق
PSMN020-30MLCX Image PSMN020-30MLCX Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V 31.8A LFPAK33 تحقيق
RQ3E080BNTB Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8 تحقيق
IXFQ26N50Q Image IXFQ26N50Q IXYS MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P تحقيق
ZXMN6A08GTA Image ZXMN6A08GTA Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223 تحقيق
IXFQ26N50 Image IXFQ26N50 IXYS MOSFET N-CH 500V 26A TO-30 تحقيق
IXFQ24N60X Image IXFQ24N60X IXYS MOSFET N-CH 600V 24A TO-3P تحقيق
IXFQ21N50Q Image IXFQ21N50Q IXYS MOSFET N-CH 500V 21A TO-3P تحقيق
RTR025P02TL Image RTR025P02TL Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3 تحقيق
FCD600N60Z Image FCD600N60Z Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N CH 600V 7.4A DPAK تحقيق
IXFQ24N50Q Image IXFQ24N50Q IXYS MOSFET N-CH 500V 24A TO-3P تحقيق
IPD12CN10NGATMA1 Image IPD12CN10NGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3 تحقيق
IXFQ28N60P3 Image IXFQ28N60P3 IXYS MOSFET N-CH 600V 28A TO3P تحقيق
IXFQ24N50P2 Image IXFQ24N50P2 IXYS 500V POLAR2 HIPERFETS تحقيق
FCH077N65F_F155 Image FCH077N65F_F155 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 650V 54A TO247 تحقيق

Latest الأخبار