العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFQ28N60P3
IXFQ28N60P3
IXFQ28N60P3
رقم القطعة:
IXFQ28N60P3
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 600V 28A TO3P
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13635 Pieces
ورقة البيانات:
IXFQ28N60P3.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFQ28N60P3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFQ28N60P3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFQ28N60P3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 2.5mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-3P
سلسلة:HiPerFET™, Polar3™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:260 mOhm @ 14A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):695W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-3P-3, SC-65-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:6 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFQ28N60P3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:3560pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:50nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 28A (Tc) 695W (Tc) Through Hole TO-3P
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 28A TO3P
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:28A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFQ28N60P3

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
FQU2N90TU_AM002 Image FQU2N90TU_AM002 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK تحقيق
IXTQ50N20P Image IXTQ50N20P IXYS MOSFET N-CH 200V 50A TO-3P تحقيق
IXFQ26N50P3 Image IXFQ26N50P3 IXYS MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P تحقيق
IXFQ24N50P2 Image IXFQ24N50P2 IXYS 500V POLAR2 HIPERFETS تحقيق
IXFQ24N50Q Image IXFQ24N50Q IXYS MOSFET N-CH 500V 24A TO-3P تحقيق
AOTF12N60FD Image AOTF12N60FD Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 600V 12A TO220F تحقيق
IXFQ21N50Q Image IXFQ21N50Q IXYS MOSFET N-CH 500V 21A TO-3P تحقيق
IXFQ26N50 Image IXFQ26N50 IXYS MOSFET N-CH 500V 26A TO-30 تحقيق
GP2M008A060PGH Image GP2M008A060PGH Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK تحقيق
2SK4066-E ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 100A SMP تحقيق
IRLU3714PBF Image IRLU3714PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 36A I-PAK تحقيق
AOD474A Image AOD474A Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 75V 2.5A TO252 تحقيق
SI2302-TP Micro Commercial Co MOSFET N-CH 20V 3A SOT-23 تحقيق
IXFQ22N60P3 Image IXFQ22N60P3 IXYS MOSFET N-CH 600V 22A TO3P تحقيق
IXFQ23N60Q Image IXFQ23N60Q IXYS MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3) تحقيق
STP4NK60ZFP Image STP4NK60ZFP STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 4A TO-220FP تحقيق
HUFA75344P3_F085 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB تحقيق
IXFQ20N50P3 Image IXFQ20N50P3 IXYS MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P تحقيق
IXFQ26N50Q Image IXFQ26N50Q IXYS MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P تحقيق
IXFQ24N60X Image IXFQ24N60X IXYS MOSFET N-CH 600V 24A TO-3P تحقيق

Latest الأخبار