العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTA05N100HV
IXTA05N100HV
IXTA05N100HV
رقم القطعة:
IXTA05N100HV
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
خالية من الرصاص عن طريق الإعفاء / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16873 Pieces
ورقة البيانات:
IXTA05N100HV.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTA05N100HV ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTA05N100HV عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTA05N100HV مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 250µA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-263
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:17 Ohm @ 375mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):40W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTA05N100HV
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:260pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:7.8nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 1000V (1kV) 750mA (Tc) 40W (Tc) Surface Mount TO-263
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):1000V (1kV)
وصف:MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:750mA (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTA05N100HV

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
BUK9612-55B,118 Image BUK9612-55B,118 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK تحقيق
IRF7467 Image IRF7467 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC تحقيق
IXTA05N100 Image IXTA05N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263 تحقيق
IXTA06N120P Image IXTA06N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263 تحقيق
IXTA08N120P Image IXTA08N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263 تحقيق
IXTA02N450HV Image IXTA02N450HV IXYS MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263 تحقيق
IXTA08N50D2 Image IXTA08N50D2 IXYS MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK تحقيق
IXTA02N250 Image IXTA02N250 IXYS MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 تحقيق
IRL3716STRRPBF Image IRL3716STRRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK تحقيق
IXTA02N250HV Image IXTA02N250HV IXYS MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 تحقيق
IXTA08N100P Image IXTA08N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263 تحقيق
IXFH102N15T Image IXFH102N15T IXYS MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 تحقيق
SPB80N08S2L-07 Image SPB80N08S2L-07 Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK تحقيق
FDP8441_F085 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB تحقيق
STH270N8F7-6 Image STH270N8F7-6 STMicroelectronics MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6 تحقيق
IXTA08N100D2 Image IXTA08N100D2 IXYS MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK تحقيق

Latest الأخبار