IXTA05N100
IXTA05N100
رقم القطعة:
IXTA05N100
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18103 Pieces
ورقة البيانات:
IXTA05N100.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTA05N100 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTA05N100 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTA05N100 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 250µA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-263 (IXTA)
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:17 Ohm @ 375mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):40W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTA05N100
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:260pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:7.8nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 1000V (1kV) 750mA (Tc) 40W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):1000V (1kV)
وصف:MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:750mA (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات