العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTT30N50L2
IXTT30N50L2
IXTT30N50L2
رقم القطعة:
IXTT30N50L2
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
خالية من الرصاص عن طريق الإعفاء / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18405 Pieces
ورقة البيانات:
1.IXTT30N50L2.pdf2.IXTT30N50L2.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTT30N50L2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTT30N50L2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTT30N50L2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-268
سلسلة:Linear L2™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:200 mOhm @ 15A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):400W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTT30N50L2
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:8100pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:240nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 500V 30A (Tc) 400W (Tc) Surface Mount TO-268
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):500V
وصف:MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTT30N50L2

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
94-2304 Image 94-2304 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB تحقيق
IXTT3N200P3HV Image IXTT3N200P3HV IXYS 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF تحقيق
IXTT30N60P Image IXTT30N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3 تحقيق
IXTT30N50L Image IXTT30N50L IXYS MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 تحقيق
IXTT360N055T2 Image IXTT360N055T2 IXYS MOSFET N-CH 55V 360A TO268 تحقيق
IXTT30N60L2 Image IXTT30N60L2 IXYS MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 تحقيق
IXTT30N50P Image IXTT30N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3 تحقيق
IXTT36N50P Image IXTT36N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3 تحقيق
IRFSL4610 Image IRFSL4610 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 73A TO-262 تحقيق
IXTT36P10 Image IXTT36P10 IXYS MOSFET P-CH 100V 36A TO-268 تحقيق
SUM110N04-2M1P-E3 Image SUM110N04-2M1P-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 29A D2PAK تحقيق
FDD8778 Image FDD8778 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 25V 35A DPAK تحقيق

Latest الأخبار