العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTT30N60P
IXTT30N60P
IXTT30N60P
رقم القطعة:
IXTT30N60P
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18386 Pieces
ورقة البيانات:
IXTT30N60P.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTT30N60P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTT30N60P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTT30N60P مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-268
سلسلة:PolarHV™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:240 mOhm @ 15A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):540W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTT30N60P
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:5050pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:82nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 30A (Tc) 540W (Tc) Surface Mount TO-268
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTT30N60P

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXTT30N50P Image IXTT30N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3 تحقيق
IXTT30N50L Image IXTT30N50L IXYS MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 تحقيق
IXTT30N60L2 Image IXTT30N60L2 IXYS MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 تحقيق
BSO080P03S H Image BSO080P03S H Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO تحقيق
IXTT3N200P3HV Image IXTT3N200P3HV IXYS 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF تحقيق
IXTT30N50L2 Image IXTT30N50L2 IXYS MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 تحقيق
IXTT360N055T2 Image IXTT360N055T2 IXYS MOSFET N-CH 55V 360A TO268 تحقيق
IXTT36P10 Image IXTT36P10 IXYS MOSFET P-CH 100V 36A TO-268 تحقيق
IPD04N03LB G Image IPD04N03LB G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A TO-252 تحقيق
IRLU9343PBF Image IRLU9343PBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 20A I-PAK تحقيق
IRL530NSPBF Image IRL530NSPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK تحقيق
GP1M018A020PG Image GP1M018A020PG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 200V 18A IPAK تحقيق
STD70NH02LT4 Image STD70NH02LT4 STMicroelectronics MOSFET N-CH 24V 60A DPAK تحقيق
IXTT36N50P Image IXTT36N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3 تحقيق

Latest الأخبار