يشترى IXTT3N200P3HV مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTT3N200P3HV
- رقم القطعة:
- IXTT3N200P3HV
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- خالية من الرصاص عن طريق الإعفاء / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17890 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTT3N200P3HV.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTT3N200P3HV ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTT3N200P3HV عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-268 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 8 Ohm @ 1.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 520W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTT3N200P3HV |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1860pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 70nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 2000V (2kV) 3A (Tc) 520W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 2000V (2kV) |
| وصف: | 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTT3N200P3HV
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPI600N25N3GAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 25A TO262-3 | تحقيق |
 |
IXTT36N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3 | تحقيق |
 |
IXTT30N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3 | تحقيق |
 |
IXTT30N60L2 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 | تحقيق |
 |
IXTT360N055T2 | IXYS | MOSFET N-CH 55V 360A TO268 | تحقيق |
 |
APTM120DA30T1G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 31A SP1 | تحقيق |
 |
IXTT30N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3 | تحقيق |
 |
IPW60R230P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO247-3 | تحقيق |
 |
IRL540PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 28A TO-220AB | تحقيق |
 |
SI7447ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8 | تحقيق |
 |
IXFE73N30Q | IXYS | MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B | تحقيق |
 |
IXTT30N50L2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 | تحقيق |
 |
IXFK210N17T | IXYS | MOSFET N-CH 170V 210A TO-264 | تحقيق |
|
IXTT36P10 | IXYS | MOSFET P-CH 100V 36A TO-268 | تحقيق |
 |
SIHF12N50C-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 12A TO-220 | تحقيق |
 |
SI8435DB-T1-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 10A 2X2 4-MFP | تحقيق |
 |
FQB9N50TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK | تحقيق |
 |
STD180N4F6 | STMicroelectronics | N-CHANNEL 40 V, 3.8 MOHM TYP., 1 | تحقيق |
|
IXTT30N50L | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 | تحقيق |
 |
CSD16556Q5B | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog