IXTT3N200P3HV
IXTT3N200P3HV
رقم القطعة:
IXTT3N200P3HV
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
خالية من الرصاص عن طريق الإعفاء / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17890 Pieces
ورقة البيانات:
IXTT3N200P3HV.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTT3N200P3HV ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTT3N200P3HV عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTT3N200P3HV مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-268
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:8 Ohm @ 1.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):520W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:14 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTT3N200P3HV
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1860pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:70nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 2000V (2kV) 3A (Tc) 520W (Tc) Surface Mount TO-268
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):2000V (2kV)
وصف:2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:3A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات