يشترى IXTT360N055T2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTT360N055T2
- رقم القطعة:
- IXTT360N055T2
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 55V 360A TO268
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15806 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTT360N055T2.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTT360N055T2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTT360N055T2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-268 |
| سلسلة: | TrenchT2™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 2.4 mOhm @ 100A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 935W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTT360N055T2 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 20000pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 330nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 55V 360A (Tc) 935W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 55V |
| وصف: | MOSFET N-CH 55V 360A TO268 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 360A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTT360N055T2
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SPP11N60CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220 | تحقيق |
 |
IXTT30N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3 | تحقيق |
|
IPP083N10N5AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO220-3 | تحقيق |
|
IXTT30N50L | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 | تحقيق |
 |
FQB70N10TM_AM002 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK | تحقيق |
 |
IPD105N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3 | تحقيق |
 |
ISL9N303AS3 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 75A TO-262AA | تحقيق |
 |
IXFH30N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 | تحقيق |
|
IXTT36P10 | IXYS | MOSFET P-CH 100V 36A TO-268 | تحقيق |
 |
STB18NF25 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 250V 17A D2PAK | تحقيق |
 |
SCH1433-S-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 3.5A SCH6 | تحقيق |
 |
IXTT36N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3 | تحقيق |
 |
BUK9Y153-100E,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK | تحقيق |
 |
IXTT30N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3 | تحقيق |
 |
IXTT30N60L2 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 | تحقيق |
 |
IRF8302MTR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 30V 31A MX | تحقيق |
 |
IXTT30N50L2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 | تحقيق |
|
IXTT3N200P3HV | IXYS | 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog