SI4913DY-T1-E3 - Vishay Siliconix - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - صفائف SI4913DY-T1-E3

SI4913DY-T1-E3

رقم القطعة:: SI4913DY-T1-E3

الصانع:: Vishay / Siliconix

وصف:: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 14462 Pieces

ورقة البيانات:: SI4913DY-T1-E3.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI4913DY-T1-E3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI4913DY-T1-E3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى SI4913DY-T1-E3 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:	1V @ 500µA
تجار الأجهزة حزمة:	8-SO
سلسلة:	TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:	15 mOhm @ 9.4A, 4.5V
السلطة - ماكس:	1.1W
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
اسماء اخرى:	SI4913DY-T1-E3TR SI4913DYT1E3
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	SI4913DY-T1-E3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:	-
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:	65nC @ 4.5V
نوع FET:	2 P-Channel (Dual)
FET الميزة:	Logic Level Gate
وصف موسع:	Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 7.1A 1.1W Surface Mount 8-SO
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):	20V
وصف:	MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:	7.1A
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لSI4913DY-T1-E3

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
SI4913DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC	تحقيق
SI4914DY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SOIC	تحقيق
SI4910DY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC	تحقيق
SLA5061	Sanken	MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A/6A 12SIP	تحقيق
ALD1102BSAL	Advanced Linear Devices Inc.	MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC	تحقيق
IRF9953PBF	Infineon Technologies	MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC	تحقيق
SI4914BDY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC	تحقيق
SP8K31TB1	Rohm Semiconductor	MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC	تحقيق
STS3DNE60L	STMicroelectronics	MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC	تحقيق
ALD210800ASCL	Advanced Linear Devices Inc.	MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC	تحقيق
CSD83325L	Texas Instruments	MOSFET 2N-CH 12V 52A 6PICOSTAR	تحقيق
SI4916DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC	تحقيق
SI3850ADV-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6TSOP	تحقيق
SI4914BDY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC	تحقيق
SI4916DY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC	تحقيق
SI4910DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC	تحقيق
SI1563DH-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6	تحقيق
IRF7316TRPBF	Infineon Technologies	MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار