العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFN64N60P
IXFN64N60P
IXFN64N60P
رقم القطعة:
IXFN64N60P
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17580 Pieces
ورقة البيانات:
IXFN64N60P.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFN64N60P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFN64N60P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFN64N60P مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 8mA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SOT-227B
سلسلة:PolarHV™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:96 mOhm @ 500mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):700W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:SOT-227-4, miniBLOC
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Chassis Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFN64N60P
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:12000pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:200nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 50A 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:50A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFN64N60P

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IPB14N03LA Image IPB14N03LA Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK تحقيق
IXFN60N60 Image IXFN60N60 IXYS MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B تحقيق
SK8403180L Image SK8403180L Panasonic Electronic Components MOSFET N-CH 30V 12A 8HSSO تحقيق
IXFN66N50Q2 Image IXFN66N50Q2 IXYS MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B تحقيق
IXFN66N85X Image IXFN66N85X IXYS 850V/65A ULTRA JUNCTION X-CLASS تحقيق
IXFN64N50PD3 Image IXFN64N50PD3 IXYS MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B تحقيق
AOB2906 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 100V TO-263 تحقيق
IXFN64N50P Image IXFN64N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227 تحقيق
IXFN62N80Q3 Image IXFN62N80Q3 IXYS MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227 تحقيق
IXFN60N80P Image IXFN60N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B تحقيق
RFD12N06RLE Image RFD12N06RLE Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 18A IPAK تحقيق
NTD3055L170-1G Image NTD3055L170-1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 9A IPAK تحقيق
DMTH3004LPSQ-13 Image DMTH3004LPSQ-13 Diodes Incorporated MOSFET NCH 30V 22A POWERDI تحقيق
IXFN64N50PD2 Image IXFN64N50PD2 IXYS MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B تحقيق
DMN65D8LQ-7 Image DMN65D8LQ-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V SOT23 تحقيق
IXTH60N15 Image IXTH60N15 IXYS MOSFET N-CH 150V 60A TO-247 تحقيق
STE40NK90ZD Image STE40NK90ZD STMicroelectronics MOSFET N-CH 900V 40A ISOTOP تحقيق

Latest الأخبار