| صورة |
رقم القطعة |
مصنعين |
وصف |
رأي |
 |
ARF477FL |
Microsemi Corporation |
RF PWR MOSFET 500V 10A |
تحقيق |
 |
MRFE6VP8600HSR6 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S |
تحقيق |
 |
BLF174XRS,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 110V 28DB SOT1214B |
تحقيق |
 |
CGHV27200F |
Cree/Wolfspeed |
FET RF 50V 2.7GHZ 440162 |
تحقيق |
 |
MRF6V13250HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 120V 1.3GHZ NI780S |
تحقيق |
 |
PXFC192207NFV1R500XUMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
|
MRF19085LSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S |
تحقيق |
|
MRF6P3300HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 863MHZ NI-860C3 |
تحقيق |
 |
ON5295,127 |
NXP USA Inc. |
MOSFET RF TO220AB TO220AB |
تحقيق |
 |
ON4970,115 |
NXP USA Inc. |
MOSFET RF SOT-223 |
تحقيق |
 |
PD55025STR-E |
STMicroelectronics |
FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 |
تحقيق |
|
AFT18H357-24SR6 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230-4 |
تحقيق |
 |
CE3521M4-C2 |
CEL |
RF FET 4V 20GHZ SOT343 |
تحقيق |
 |
CGH60060D |
Cree/Wolfspeed |
RF MOSFET HEMT 28V DIE |
تحقيق |
 |
BLF8G27LS-100J |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B |
تحقيق |
|
ON5154,127 |
NXP USA Inc. |
MOSFET RF TO220AB TO220AB |
تحقيق |
|
AFT26P100-4WGSR3 |
NXP USA Inc. |
TRANS RF 2.6GHZ 100W NI780S-6 |
تحقيق |
|
MRFE6S9130HSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 66V 880MHZ NI-780S |
تحقيق |
 |
MMRF1008HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 |
تحقيق |
|
MMRF1022HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI1230S-4 |
تحقيق |
 |
BF909AR,215 |
NXP USA Inc. |
MOSFET N-CH SOT-143R |
تحقيق |
 |
MRF5S18060NBR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 1.88GHZ TO-272-4 |
تحقيق |
 |
2731GN-110M |
Microsemi Corporation |
FETS RF GAN 150V 2.7-3.1GHZ 55QP |
تحقيق |
 |
BLC8G27LS-100AVZ |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12751 |
تحقيق |
|
MRF8P23160WHR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.32GHZ NI780-4 |
تحقيق |
 |
MWT-773 |
Microwave Technology Inc. |
FET RF 5V 26GHZ PKG 73 |
تحقيق |
|
MRF8S26120HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.69GHZ NI780S |
تحقيق |
 |
PTFA192001EV4R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2 |
تحقيق |
 |
BLM7G1822S-40ABGY |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12122 |
تحقيق |
 |
BLF7G27LS-75P,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B |
تحقيق |
 |
BLF8G22LS-200GVJ |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C |
تحقيق |
|
PD55003STR-E |
STMicroelectronics |
FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 |
تحقيق |
 |
BLP05M7200Y |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 21DB SOT1140 |
تحقيق |
 |
2N5246_J35Z |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 30V 7MA TO92 |
تحقيق |
 |
BLF6G27LS-40PGJ |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121E |
تحقيق |
 |
MW7IC2425NBR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.45GHZ TO-272-16 |
تحقيق |
|
BLF8G24LS-150GVJ |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C |
تحقيق |
|
PTFB091802FCV1R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
 |
BF904AWR,115 |
NXP USA Inc. |
MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143R |
تحقيق |
 |
BLF871S,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 89V 19DB SOT467B |
تحقيق |
|
MRFE6VP5600HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S |
تحقيق |
|
ATF-33143-BLKG |
Broadcom Limited |
FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343 |
تحقيق |
 |
BLF2425M7LS250P,11 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 15DB SOT539B |
تحقيق |
 |
MRFE6S9045NR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 66V 880MHZ TO-270-2 |
تحقيق |
 |
ON5258,215 |
Nexperia USA Inc. |
MOSFET RF SOT23 TO-236AB |
تحقيق |
 |
2N5486G |
ON Semiconductor |
JFET N-CH 25V 30MA TO92 |
تحقيق |
|
AFT21S230SR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-6 |
تحقيق |
|
MRF6VP11KGSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 110V 130MHZ NI-1230S |
تحقيق |
 |
BLF6G27-100,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V SOT502A |
تحقيق |
|
A2T21H100-25SR3 |
NXP USA Inc. |
IC RF LDMOS TRANS CELL |
تحقيق |
