| صورة |
رقم القطعة |
مصنعين |
وصف |
رأي |
 |
MRF21010LR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.17GHZ NI-360 |
تحقيق |
 |
PTRA093302DCV1R2XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC RF FET LDMOS 330W H-49248H-4 |
تحقيق |
 |
BLF8G22LS-270V,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244B |
تحقيق |
 |
BLF8G22LS-270GVJ |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244C |
تحقيق |
 |
MRF6V14300HR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 100V 1.4GHZ NI780 |
تحقيق |
 |
MRF5S19060MR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.99GHZ TO-270-4 |
تحقيق |
 |
PD85015S-E |
STMicroelectronics |
IC RF PWR TRANSISTOR PWRSO-10RF |
تحقيق |
 |
PD85006-E |
STMicroelectronics |
FET RF 40V 870MHZ PWRSO-10RF |
تحقيق |
 |
VRF2933MP |
Microsemi Corporation |
RF MOSFET N-CHANNEL 50V M177 |
تحقيق |
 |
MRF6S9060NBR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 880MHZ TO-272-2 |
تحقيق |
 |
MRFG35003NR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 15V 3.55GHZ |
تحقيق |
 |
MRF6V4300NBR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 110V 450MHZ TO-272-4 |
تحقيق |
|
MRF5S21130HSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S |
تحقيق |
|
A2I25D025GNR1 |
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS |
تحقيق |
 |
BLF6H10LS-160,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 104V 20DB SOT467B |
تحقيق |
|
MRF8S18210WHSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.93GHZ NI880XS3 |
تحقيق |
 |
BLM8G0710S-15PBGY |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12122 |
تحقيق |
 |
BLF7G22L-130,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A |
تحقيق |
|
MRFG35002N6R5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 8V 3.55GHZ |
تحقيق |
|
BLA1011-200,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502A |
تحقيق |
|
MRF6V2300NR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 110V 220MHZ TO-270-4 |
تحقيق |
 |
MAGX-000035-01000S |
M/A-Com Technology Solutions |
TRANSISTOR GAN 10WCW 0.03-3.5GHZ |
تحقيق |
 |
BF556C,215 |
NXP USA Inc. |
JFET N-CH 30V 18MA SOT23 |
تحقيق |
 |
MW6S010NR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 960MHZ TO270-2 |
تحقيق |
 |
BLA6H1011-600,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A |
تحقيق |
|
BLF4G22S-100,112 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.17GHZ SOT502B |
تحقيق |
 |
BLP8G27-10Z |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN |
تحقيق |
 |
PD85035A-E |
STMicroelectronics |
FET RF 40V 870MHZ POWERSO10 |
تحقيق |
 |
ATF-53189-TR1 |
Broadcom Limited |
IC PHEMT 2GHZ 4V 135MA SOT-89 |
تحقيق |
 |
BLF647P,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A |
تحقيق |
|
MRF6V2010NBR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 110V 220MHZ TO272-2 |
تحقيق |
|
BLF4G20LS-130,112 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B |
تحقيق |
|
PTFB210801FAV1R0XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS H-37265-2 |
تحقيق |
 |
MRF6VP121KHR6 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230 |
تحقيق |
 |
PTVA035002EVV1XWSA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
 |
PTVA104501EHV1R0XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS H-33288-2 |
تحقيق |
 |
BLF6G22LS-100,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.2DB SOT502B |
تحقيق |
 |
PTFA212001EV4R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2 |
تحقيق |
 |
BLF6G15LS-500H,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 100V 16DB SOT539B |
تحقيق |
|
PD57030S |
STMicroelectronics |
FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 |
تحقيق |
 |
MRF8S9260HR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 70V 960MHZ NI-880H |
تحقيق |
|
BLF7G22LS-130,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B |
تحقيق |
 |
BLP05H6150XRY |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232 |
تحقيق |
|
BF512,235 |
NXP USA Inc. |
JFET N-CH 20V 30MA SOT23 |
تحقيق |
|
BLA8G1011LS-300U |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B |
تحقيق |
 |
CRF24010FE |
Cree/Wolfspeed |
FET RF 120V 1.95GHZ 440166 |
تحقيق |
 |
AFV141KHSR5 |
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS |
تحقيق |
 |
CLF1G0060-30U |
Ampleon USA Inc. |
RF FET HEMT 150V 13DB SOT1227A |
تحقيق |
|
PD54008S-E |
STMicroelectronics |
FET RF 25V 500MHZ PWRSO-10 |
تحقيق |
|
BF1102R,135 |
NXP USA Inc. |
FET RF 7V 800MHZ 6TSSOP |
تحقيق |
