| صورة |
رقم القطعة |
مصنعين |
وصف |
رأي |
 |
BLF6G38S-25,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 15DB SOT608B |
تحقيق |
 |
PTF080101M V1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 |
تحقيق |
 |
MRF5S21090HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.11GHZ NI-780 |
تحقيق |
 |
BLF6G20-180PN,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539A |
تحقيق |
 |
PD55003-E |
STMicroelectronics |
FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 |
تحقيق |
 |
NE3520S03-A |
CEL |
FET RF 4V 20GHZ S03 |
تحقيق |
 |
STAC2932F |
STMicroelectronics |
TRANS RF PWR N-CH STAC244F |
تحقيق |
 |
MRFE6VP5600HSR6 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S |
تحقيق |
 |
MRF174 |
M/A-Com Technology Solutions |
FET RF 65V 150MHZ 211-11 |
تحقيق |
 |
SKY65050-372LF |
Skyworks Solutions Inc. |
IC PHEMT 2.4GHZ 70MA LN SC70-4 |
تحقيق |
|
BLF6G10L-260PRN,11 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A |
تحقيق |
 |
MRF21045LSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.17GHZ NI-400S |
تحقيق |
|
BF2030WH6814XTSA1 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 8V 40MA SOT343 |
تحقيق |
 |
BLF573S,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502B |
تحقيق |
 |
2N5484 |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 25V 5MA TO92 |
تحقيق |
 |
BLF2045,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 10DB SOT467C |
تحقيق |
 |
ARF448AG |
Microsemi Corporation |
RF FETS N CH 450V 15A TO247 |
تحقيق |
|
MMRF1009HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S |
تحقيق |
|
BLF7G22LS-200,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B |
تحقيق |
|
MRF8P23160WHSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.32GHZ NI780-4 |
تحقيق |
|
ARF445 |
Microsemi Corporation |
PWR MOSFET RF N-CH 900V TO-247AD |
تحقيق |
|
MPF102_D74Z |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 25V 20MA TO92 |
تحقيق |
 |
375-102N12A-00 |
IXYS |
RF MOSFET N-CHANNEL DE375 |
تحقيق |
|
MRF6S27085HSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 2.66GHZ NI-780S |
تحقيق |
|
MRF7S18170HSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.81GHZ NI-880S |
تحقيق |
 |
PTFB182503ELV1R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
 |
MAGX-001214-500L00 |
M/A-Com Technology Solutions |
TRANSISTOR GAN 500W 1.2-1.4GHZ |
تحقيق |
 |
MRFG35005NT1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 15V 3.55GHZ 1.5PLD |
تحقيق |
 |
PD55025TR-E |
STMicroelectronics |
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
تحقيق |
|
PXAC241702FCV1XWSA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
 |
MAGX-000912-125L00 |
M/A-Com Technology Solutions |
TRANSISTOR GAN 125W 960-1215MHZ |
تحقيق |
|
BF2040WH6814XTSA1 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 8V 40MA SOT343 |
تحقيق |
 |
BLS6G3135-20,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 60V 15.5DB SOT608A |
تحقيق |
 |
VRF152 |
Microsemi Corporation |
MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174 |
تحقيق |
 |
NE5550979A-T1-A |
CEL |
FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG |
تحقيق |
 |
PTFA260851F V1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 85W H-31248-2 |
تحقيق |
 |
PTVA123501ECV2R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
|
NE5531079A-T1-A |
CEL |
FET RF 30V 460MHZ 79A |
تحقيق |
 |
MRF5S9100MBR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 880MHZ TO-272-4 |
تحقيق |
 |
2SK2854(TE12L,F) |
Toshiba Semiconductor and Storage |
MOSFET RF N CH 10V 500MA |
تحقيق |
 |
MRF6S23140HR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 2.39GHZ NI-880 |
تحقيق |
 |
BLA0912-250R,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502A |
تحقيق |
 |
BLF544,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET NCHA 65V 7DB SOT171A |
تحقيق |
|
PTFC261402FCV1R0XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS H-37248-4 |
تحقيق |
|
PTFA192001EV4T350XWSA1 |
Infineon Technologies |
IC RF FET LDMOS H-36260-2 |
تحقيق |
 |
MRF6V3090NR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 110V 860MHZ TO270-4 |
تحقيق |
|
BF244B_J35Z |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 30V 50MA TO92 |
تحقيق |
 |
BF1208D,115 |
NXP USA Inc. |
MOSFET N-CH DUAL GATE SOD666 |
تحقيق |
|
PTFA091503ELV4R0XTMA1 |
Infineon Technologies |
RF MOSFET LDMOS 30V H-33288-6 |
تحقيق |
|
MMRF1306HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S |
تحقيق |
