| صورة |
رقم القطعة |
مصنعين |
وصف |
رأي |
 |
NE5520379A-T1A-A |
CEL |
FET RF 15V 915MHZ 79A-PKG |
تحقيق |
 |
ARF463BG |
Microsemi Corporation |
RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247 |
تحقيق |
 |
MMRF1312HSR5 |
NXP USA Inc. |
TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V |
تحقيق |
 |
ATF-55143-BLKG |
Broadcom Limited |
FET RF 5V 2GHZ SOT-343 |
تحقيق |
 |
MMRF2010GNR1 |
NXP USA Inc. |
INTEGRATED PWR AMP 1030-1090MHZ |
تحقيق |
 |
PTFC261402FCV1R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
 |
BLC8G22LS-450AVZ |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12583 |
تحقيق |
 |
MMRF1018NBR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 120V 860MHZ |
تحقيق |
 |
BLF25M612,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975B |
تحقيق |
 |
BLF2425M8L140U |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A |
تحقيق |
|
ON5451,518 |
NXP USA Inc. |
MOSFET RF 20SOIC |
تحقيق |
 |
STAC1011-350 |
STMicroelectronics |
FET RF 80V 1.09GHZ STAC265B |
تحقيق |
 |
PTFA080551EV4R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2 |
تحقيق |
 |
PD57002-E |
STMicroelectronics |
FET RF 65V 960MHZ PWRSO10 |
تحقيق |
 |
475-102N20A-00 |
IXYS |
RF MOSFET N-CHANNEL DE475 |
تحقيق |
 |
BLF8G19LS-170BVU |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1120B |
تحقيق |
 |
MRFG35003N6AT1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5 |
تحقيق |
 |
STAC2933 |
STMicroelectronics |
MOSF RF N CH 130V 40A STAC177B |
تحقيق |
|
MRF5S21150HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.17GHZ NI-880 |
تحقيق |
 |
BLF6H10L-160,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 104V 20DB SOT467C |
تحقيق |
 |
BLF6G10LS-160,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS SOT502B |
تحقيق |
 |
NE3210S01-T1B |
CEL |
FET RF 4V 12GHZ S01 |
تحقيق |
|
PTFB091507FHV1R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
|
BF1205,135 |
NXP USA Inc. |
FET RF 10V 800MHZ 6TSSOP |
تحقيق |
 |
BLF2425M7LS250P:11 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 15DB SOT539B |
تحقيق |
|
MHT1008NT1 |
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS 2450MHZ |
تحقيق |
|
MRF5S21045MBR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 2.17GHZ TO272-4 |
تحقيق |
 |
ATF-531P8-TR1 |
Broadcom Limited |
FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC |
تحقيق |
 |
MRF6S21100HR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 2.17GHZ NI-780 |
تحقيق |
 |
150-101N09A-00 |
IXYS |
RF MOSFET N-CHANNEL DE150 |
تحقيق |
 |
BLU6H0410L-600P,11 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539A |
تحقيق |
|
PD57018 |
STMicroelectronics |
FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 |
تحقيق |
 |
BLF888,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 104V 19DB SOT979A |
تحقيق |
|
MMRF1008HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S |
تحقيق |
 |
2SK3475TE12LF |
Toshiba Semiconductor and Storage |
MOSF RF N CH 20V 1A PW-MINI |
تحقيق |
 |
BLM7G22S-60PBGY |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 |
تحقيق |
 |
BF1211R,215 |
NXP USA Inc. |
MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143R |
تحقيق |
|
BLF8G20LS-220J |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.9DB SOT502B |
تحقيق |
|
ATF-54143-TR2G |
Broadcom Limited |
FET RF 5V 2GHZ SOT-343 |
تحقيق |
 |
MAGX-000035-05000P |
M/A-Com Technology Solutions |
FET RF 65V 1MHZ 14DFN |
تحقيق |
|
BF1205,115 |
NXP USA Inc. |
FET RF 10V 800MHZ 6TSSOP |
تحقيق |
 |
MMRF1304NR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 133V 512MHZ TO270-2 |
تحقيق |
 |
BLF6G27-45,135 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT608A |
تحقيق |
|
MRF5S19100HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S |
تحقيق |
 |
STAC2932BW |
STMicroelectronics |
TRANS RF PWR N-CH 300W STAC244B |
تحقيق |
|
PXAC261212FCV1XWSA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
|
MRF6S19100HSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 1.99GHZ NI-780S |
تحقيق |
 |
BLP8G20S-80PY |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12231 |
تحقيق |
|
MRF372R5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 863MHZ NI-860C3 |
تحقيق |
|
BLF2043,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 75V 12.5DB SOT467C |
تحقيق |
