| صورة |
رقم القطعة |
مصنعين |
وصف |
رأي |
 |
VMMK-1218-TR1G |
Broadcom Limited |
FET RF 5V 10GHZ 0402 |
تحقيق |
 |
CGH40180PP |
Cree/Wolfspeed |
FET RF 84V 2.5GHZ 440199 |
تحقيق |
 |
BLP10H605Z |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN |
تحقيق |
 |
MRF6VP11KHR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 110V 130MHZ NI-1230 |
تحقيق |
 |
BLF8G27LS-100V,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244B |
تحقيق |
 |
2N5953 |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 30V 5MA TO92 |
تحقيق |
 |
BLF7G20L-250P,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539A |
تحقيق |
 |
PTFA192401FV4R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2 |
تحقيق |
 |
MRF6S19100NBR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 1.99GHZ TO272-4 |
تحقيق |
 |
NPT25015D |
M/A-Com Technology Solutions |
HEMT N-CH 28V 23W DC-3GHZ 8SOIC |
تحقيق |
 |
BLF6G27-10,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975B |
تحقيق |
 |
BLF8G20LS-400PGVQ |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242C |
تحقيق |
 |
MRF6S21050LR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 2.16GHZ NI-400 |
تحقيق |
 |
AFT21S232SR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-2 |
تحقيق |
|
MRF8S9170NR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 70V 920MHZ OM780-2 |
تحقيق |
 |
BLF8G10L-160,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502A |
تحقيق |
 |
BF545C,215 |
NXP USA Inc. |
JFET N-CH 30V 25MA SOT23 |
تحقيق |
|
MRF8S9120NR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 70V 960MHZ QM780-2 |
تحقيق |
 |
PTFB072707FHV1R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
 |
BLF881,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 104V 21DB SOT467C |
تحقيق |
 |
MAMG-002735-085L0L |
M/A-Com Technology Solutions |
TRANSISTOR RF 85W GAN |
تحقيق |
 |
BLF6G27LS-75,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V SOT502B |
تحقيق |
|
MRF7S38075HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 3.6GHZ NI-780S |
تحقيق |
|
BLF6G20-230PRN,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A |
تحقيق |
 |
NE3512S02-A |
CEL |
HJ-FET NCH 13.5DB S02 |
تحقيق |
|
MAGX-002731-180L0S |
M/A-Com Technology Solutions |
TRANSISTOR RF 180W GAN |
تحقيق |
 |
BLF542,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET NCHA 65V 16DB SOT171A |
تحقيق |
 |
2N5485_D74Z |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 25V 10MA TO92 |
تحقيق |
|
BLF6G10LS-200RN,11 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B |
تحقيق |
 |
PTFA070601EV4R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
FET RF LDMOS 60W H36265-2 |
تحقيق |
 |
CGH55015F2 |
Cree/Wolfspeed |
FET RF 84V 5.65GHZ 440166 |
تحقيق |
 |
ATF-541M4-TR1 |
Broadcom Limited |
IC PHEMT 2GHZ 3V 60MA MINIPAK |
تحقيق |
|
BLL6H0514-25,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 100V 21DB SOT467C |
تحقيق |
|
PTFA181001EV4R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 |
تحقيق |
 |
MRFE6VP100HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780 |
تحقيق |
|
MRF24300NR3 |
NXP USA Inc. |
RF POWER LDMOS TRANS 2450MHZ 300 |
تحقيق |
|
PTFB082817FHV1S250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS H-34288 |
تحقيق |
|
PTFB193404FV1R0XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS H-37275-6 |
تحقيق |
 |
BLF25M612G,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C |
تحقيق |
 |
MRF7S21210HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 |
تحقيق |
 |
ATF-55143-TR1G |
Broadcom Limited |
FET RF 5V 2GHZ SOT-343 |
تحقيق |
 |
MMRF1013HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.9GHZ |
تحقيق |
|
PTFA192001EV4R0XTMA1 |
Infineon Technologies |
RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2 |
تحقيق |
|
MRF6S19060NBR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 1.93GHZ TO272-4 |
تحقيق |
|
2N5953_J35Z |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 30V 5MA TO92 |
تحقيق |
 |
PD57018S |
STMicroelectronics |
FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 |
تحقيق |
 |
VRF2944MP |
Microsemi Corporation |
MOSFET RF N-CH 170V 50A M177 |
تحقيق |
|
ATF-541M4-TR2 |
Broadcom Limited |
IC PHEMT 2GHZ 3V 60MA MINIPAK |
تحقيق |
 |
BLF174XR,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 110V 28DB SOT1214A |
تحقيق |
 |
BLC9G20LS-470AVTY |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 15.7DB SOT12583 |
تحقيق |
