يشترى IPP65R110CFDAAKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 1.3mA |
---|---|
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO-220-3 |
سلسلة: | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 110 mOhm @ 12.7A, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 277.8W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Tube |
حزمة / كيس: | TO-220-3 |
اسماء اخرى: | SP000895234 |
درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Through Hole |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
الصانع الجزء رقم: | IPP65R110CFDAAKSA1 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 3240pF @ 100V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 118nC @ 10V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 650V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 650V |
وصف: | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 31.2A (Tc) |
Email: | [email protected] |