يشترى IPP65R190CFDXKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPP65R190CFDXKSA1
- رقم القطعة:
- IPP65R190CFDXKSA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18366 Pieces
- ورقة البيانات:
- IPP65R190CFDXKSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPP65R190CFDXKSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPP65R190CFDXKSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 730µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO-220-3 |
| سلسلة: | CoolMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 190 mOhm @ 7.3A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 151W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| اسماء اخرى: | IPP65R190CFD IPP65R190CFD-ND SP000881160 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IPP65R190CFDXKSA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1850pF @ 100V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 68nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 650V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 650V |
| وصف: | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 17.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPP65R190CFDXKSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPP65R190CFDAAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 | تحقيق |
|
IPP65R190C7FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13A TO220 | تحقيق |
|
IPP65R190C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 | تحقيق |
|
IPP65R110CFDAAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 | تحقيق |
|
IPP65R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 | تحقيق |
|
IPP65R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220 | تحقيق |
|
IPP65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 | تحقيق |
|
IPP65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 18A TO220 | تحقيق |
|
IPP65R150CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220 | تحقيق |
|
IPP65R225C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220-3 | تحقيق |
|
IPP65R110CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220 | تحقيق |
|
IPP65R150CFDAAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog