IPP65R190C7FKSA1
IPP65R190C7FKSA1
رقم القطعة:
IPP65R190C7FKSA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 650V 13A TO220
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16099 Pieces
ورقة البيانات:
IPP65R190C7FKSA1.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPP65R190C7FKSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPP65R190C7FKSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPP65R190C7FKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 290µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO-220-3
سلسلة:CoolMOS™ C7
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:190 mOhm @ 5.7A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):72W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-220-3
اسماء اخرى:SP000929426
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:20 Weeks
الصانع الجزء رقم:IPP65R190C7FKSA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1150pF @ 400V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:23nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 650V 13A (Tc) 72W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):650V
وصف:MOSFET N-CH 650V 13A TO220
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:13A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات