يشترى IXTA60N10T مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTA60N10T
- رقم القطعة:
- IXTA60N10T
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 60A TO-263
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14306 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTA60N10T.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTA60N10T ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTA60N10T عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 50µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-263 (IXTA) |
| سلسلة: | TrenchMV™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 18 mOhm @ 25A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 176W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTA60N10T |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2650pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 49nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 60A (Tc) 176W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 60A TO-263 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 60A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTA60N10T
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB80N04S404ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2 | تحقيق |
 |
IRFIZ48NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 40A TO220FP | تحقيق |
 |
IXTA6N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK | تحقيق |
|
IXTA62N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 62A TO-263 | تحقيق |
|
IXTA62N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 62A TO-263 | تحقيق |
|
IXTA6N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 6A D2-PAK | تحقيق |
|
IXTA60N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 60A TO-263 | تحقيق |
 |
IXFE50N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B | تحقيق |
 |
IXTH44N30T | IXYS | MOSFET N-CH 300V 44A TO-247 | تحقيق |
 |
FDH038AN08A1 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 75V 80A TO-247 | تحقيق |
|
IXTA6N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 6A D2PAK | تحقيق |
 |
NTZS3151PT1H | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563 | تحقيق |
 |
FQD7P06TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK | تحقيق |
 |
BUK9520-55,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 52A TO220AB | تحقيق |
|
IXTA64N10L2 | IXYS | N-CHANNEL: LINEAR POWER MOSFETS | تحقيق |
 |
SI5458DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET | تحقيق |
 |
IRFR9310TRL | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK | تحقيق |
 |
FDB3632 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | تحقيق |
 |
BSC882N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 34V 22A TDSON-8 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog