العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTA6N100D2
IXTA6N100D2
IXTA6N100D2
رقم القطعة:
IXTA6N100D2
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 1000V 6A D2PAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18501 Pieces
ورقة البيانات:
IXTA6N100D2.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTA6N100D2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTA6N100D2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTA6N100D2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:-
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-263 (IXTA)
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:2.2 Ohm @ 3A, 0V
تبديد الطاقة (ماكس):300W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTA6N100D2
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2650pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:95nC @ 5V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:Depletion Mode
وصف موسع:N-Channel 1000V (1kV) 6A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):-
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):1000V (1kV)
وصف:MOSFET N-CH 1000V 6A D2PAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTA6N100D2

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IPA032N06N3GXKSA1 Image IPA032N06N3GXKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 84A TO220-3-31 تحقيق
SUP53P06-20-GE3 Image SUP53P06-20-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 9.2A TO220AB تحقيق
IXTA60N10T Image IXTA60N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 60A TO-263 تحقيق
IXFH13N80 Image IXFH13N80 IXYS MOSFET N-CH 800V 13A TO-247AD تحقيق
IRL540NSTRRPBF Image IRL540NSTRRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK تحقيق
IXTA60N20T Image IXTA60N20T IXYS MOSFET N-CH 200V 60A TO-263 تحقيق
IXTA62N15P Image IXTA62N15P IXYS MOSFET N-CH 150V 62A TO-263 تحقيق
AON6414A Image AON6414A Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 30V 5X6DFN تحقيق
STP28NM60ND Image STP28NM60ND STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 23A TO220 تحقيق
GP2M009A090FG Image GP2M009A090FG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 900V 9A TO220F تحقيق
IXTA6N50D2 Image IXTA6N50D2 IXYS MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK تحقيق
IXTA6N50P Image IXTA6N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 6A D2-PAK تحقيق
IRFR220PBF Image IRFR220PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK تحقيق
TK5A53D(STA4,Q,M) Image TK5A53D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 525V 5A TO-220SIS تحقيق
AON7200 Image AON7200 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 30V 15.8A 8DFN تحقيق
IRFZ48PBF Image IRFZ48PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB تحقيق
IXTA62N25T Image IXTA62N25T IXYS MOSFET N-CH 250V 62A TO-263 تحقيق
BSS306NL6327HTSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT-23 تحقيق
SI7344DP-T1-E3 Image SI7344DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 11A PPAK SO-8 تحقيق
IXTA64N10L2 Image IXTA64N10L2 IXYS N-CHANNEL: LINEAR POWER MOSFETS تحقيق

Latest الأخبار