يشترى IXTA60N20T مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTA60N20T
- رقم القطعة:
- IXTA60N20T
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 200V 60A TO-263
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15761 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTA60N20T.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTA60N20T ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTA60N20T عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-263 (IXTA) |
| سلسلة: | Trench™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 40 mOhm @ 30A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 500W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTA60N20T |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 4530pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 73nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 200V 60A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 200V |
| وصف: | MOSFET N-CH 200V 60A TO-263 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 60A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTA60N20T
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STD30PF03L-1 | STMicroelectronics | MOSFET P-CH 30V 24A IPAK | تحقيق |
 |
IXTA62N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 62A TO-263 | تحقيق |
 |
SI7459DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8 | تحقيق |
 |
NTB30N06T4 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK | تحقيق |
 |
IXTA64N10L2 | IXYS | N-CHANNEL: LINEAR POWER MOSFETS | تحقيق |
 |
IRF7665S2TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V DIRECTFET SB | تحقيق |
|
IXTA6N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 6A D2-PAK | تحقيق |
|
IXTA62N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 62A TO-263 | تحقيق |
|
IXTA60N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 60A TO-263 | تحقيق |
 |
IPA65R280E6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220 | تحقيق |
|
IXTA6N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK | تحقيق |
 |
FDZ293P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA | تحقيق |
 |
NP52N06SLG-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 52A TO252 | تحقيق |
 |
BST72A,112 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 190MA SOT54 | تحقيق |
 |
FL6L52060L | Panasonic Electronic Components | MOSFET P-CH 20V 2A MINI6-F1 | تحقيق |
|
IXTA6N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 6A D2PAK | تحقيق |
|
SI7148DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8 | تحقيق |
 |
STB34N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK | تحقيق |
 |
SN7002W E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog