يشترى IXTA64N10L2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTA64N10L2
- رقم القطعة:
- IXTA64N10L2
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- N-CHANNEL: LINEAR POWER MOSFETS
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14763 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTA64N10L2.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTA64N10L2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTA64N10L2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-263AA |
| سلسلة: | Linear L2™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 32 mOhm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 357W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTA64N10L2 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 3620pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 100nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 64A 357W (Tc) Surface Mount TO-263AA |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | N-CHANNEL: LINEAR POWER MOSFETS |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 64A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTA64N10L2
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMP21D5UFB4-7B | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFN | تحقيق |
 |
NTTFS4985NFTWG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 64A U8FL | تحقيق |
 |
IXTA6N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 6A D2PAK | تحقيق |
 |
IRLML5203 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23 | تحقيق |
|
IXTA6N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK | تحقيق |
 |
STF12NM50ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FP | تحقيق |
|
IXTA62N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 62A TO-263 | تحقيق |
 |
STWA45N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 35A TO247 | تحقيق |
 |
AOI4C60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 4A TO-252 | تحقيق |
|
IXTA62N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 62A TO-263 | تحقيق |
|
IXTA6N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 6A D2-PAK | تحقيق |
|
IXTA60N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 60A TO-263 | تحقيق |
 |
IRF6613TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET | تحقيق |
 |
DMT6007LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333 | تحقيق |
 |
BUK7E2R6-60E,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK | تحقيق |
|
STF12NK60Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP | تحقيق |
 |
PSMN1R2-25YLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK | تحقيق |
 |
PSMN7R0-100BS,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK | تحقيق |
 |
NTMFS4921NT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8.8A SO8FL | تحقيق |
|
IXTA60N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 60A TO-263 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog