يشترى TP2502N8-G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
TP2502N8-G
- رقم القطعة:
- TP2502N8-G
- وصف:
- MOSFET P-CH 20V 0.63A SOT89-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17262 Pieces
- ورقة البيانات:
- TP2502N8-G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل TP2502N8-G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك TP2502N8-G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.4V @ 1mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-243AA (SOT-89) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 2 Ohm @ 1A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.6W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-243AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 15 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | TP2502N8-G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 125pF @ 20V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 20V 630mA (Tj) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-243AA (SOT-89) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET P-CH 20V 0.63A SOT89-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 630mA (Tj) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTP2502N8-G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTP5N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 5A TO-220 | تحقيق |
 |
AOU3N50 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 500V 2.8A IPAK | تحقيق |
 |
BSS119 E7978 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | تحقيق |
 |
STP9NK80Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 7.5A TO-220 | تحقيق |
 |
SI1422DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6 | تحقيق |
 |
IRLR110TRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK | تحقيق |
 |
STD3N62K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 2.7A DPAK | تحقيق |
 |
NVTFS5811NLTAG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN | تحقيق |
 |
IRFS52N15DPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK | تحقيق |
|
SI4642DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 34A 8-SOIC | تحقيق |
|
IXFP10N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 | تحقيق |
 |
IXFT58N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 58A TO-268 | تحقيق |
|
AUIRLL024NTR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT-224 | تحقيق |
 |
IPW60R330P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 12A TO247-3 | تحقيق |
 |
FQP7N20L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 6.5A TO-220 | تحقيق |
 |
ZVP2110ASTZ | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3 | تحقيق |
 |
IXTA60N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 60A TO-263 | تحقيق |
 |
STP55NF06L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 55A TO-220 | تحقيق |
|
FDMS3006SDC | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 34A 8-PQFN | تحقيق |
 |
CSD18502Q5BT | Texas Instruments | N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog