| صورة |
رقم القطعة |
مصنعين |
وصف |
رأي |
 |
MRF8S18120HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.81GHZ NI-780 |
تحقيق |
 |
MRF8S9102NR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 70V 920MHZ OM780-2 |
تحقيق |
 |
PD57070S |
STMicroelectronics |
FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 |
تحقيق |
 |
PTFA212001FV4R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 |
تحقيق |
 |
MMBFJ309 |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 25V 30MA SOT23 |
تحقيق |
 |
IXZR18N50A-00 |
IXYS |
RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 |
تحقيق |
 |
BLF8G10LS-270,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B |
تحقيق |
 |
PD57030-E |
STMicroelectronics |
FET RF 65V 945MHZ PWRSO10 |
تحقيق |
|
MRF7S38010HSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 3.6GHZ NI-400S |
تحقيق |
|
BLF7G22LS-160,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B |
تحقيق |
 |
BLF647PS,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B |
تحقيق |
|
MRF7S19080HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 |
تحقيق |
|
BLF6G22LS-180RN,11 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B |
تحقيق |
 |
BLF182XRU |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B |
تحقيق |
 |
MRFG35010ANT1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5 |
تحقيق |
|
BLF6G22LS-180RN:11 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B |
تحقيق |
 |
BLC8G27LS-100AVY |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12751 |
تحقيق |
|
BLL6H1214LS-250,11 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B |
تحقيق |
|
MRF6V12500HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 110V 1.03GHZ NI-1230H |
تحقيق |
 |
MRFE6VP61K25HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S |
تحقيق |
|
PTFA190451FV4R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 45W H-37265-2 |
تحقيق |
 |
SD2931-11W |
STMicroelectronics |
IC TRANS RF HF/VHF/UHF |
تحقيق |
 |
ARF460AG |
Microsemi Corporation |
FET RF N-CH 500V 14A TO247 |
تحقيق |
 |
BLF6G05LS-200RN,11 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B |
تحقيق |
 |
SD4931 |
STMicroelectronics |
TRANSISTOR RF MOSFET N-CH M174 |
تحقيق |
 |
PTFA071701EV4R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
FET RF LDMOS 170W H36248-2 |
تحقيق |
 |
PTFB090901EAV2R0XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS H-36265-2 |
تحقيق |
|
MRF7S15100HR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.51GHZ NI780 |
تحقيق |
 |
BF861B,235 |
NXP USA Inc. |
JFET N-CH 25V 15MA SOT23 |
تحقيق |
 |
STAC3933 |
STMicroelectronics |
IC TRANS RF HV/VHF/UHF STAC177B |
تحقيق |
 |
MRFE6S9135HR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 66V 940MHZ NI-880 |
تحقيق |
|
BLF6G10LS-200,112 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B |
تحقيق |
|
MMBFJ310 |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 25V 60MA SOT23 |
تحقيق |
 |
BG3130RH6327XTSA1 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 |
تحقيق |
 |
BLF6G27S-45,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT608B |
تحقيق |
|
PTFB211803FLV2R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
|
BLF6G27LS-40PHJ |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17DB |
تحقيق |
 |
PD55015-E |
STMicroelectronics |
FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 |
تحقيق |
|
MRF7S38040HR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 3.6GHZ NI-400 |
تحقيق |
 |
3135GN-100M |
Microsemi Corporation |
TRANSISTOR GAN 55-QP |
تحقيق |
 |
BLF7G15LS-300P,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539B |
تحقيق |
|
PTFA092201EV4R0XTMA1 |
Infineon Technologies |
RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2 |
تحقيق |
|
MRF7S19080HR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 |
تحقيق |
|
BF 2040 E6814 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-143 |
تحقيق |
 |
BLF6G27L-40P,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121A |
تحقيق |
 |
ARF1500 |
Microsemi Corporation |
MOSFET RF N-CH 500V 60A T1 |
تحقيق |
|
J211_D74Z |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 25V 20MA TO92 |
تحقيق |
 |
ARF442 |
Microsemi Corporation |
PWR MOSFET RF N-CH 300V TO-247AD |
تحقيق |
 |
BF245B_D75Z |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 30V 15MA TO92 |
تحقيق |
|
PTFB213208FVV2R2XTMA1 |
Infineon Technologies |
RF MOSFET TRANSISTORS RFP-LDMOS |
تحقيق |
