| صورة |
رقم القطعة |
مصنعين |
وصف |
رأي |
 |
BG3130H6327XTSA1 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 |
تحقيق |
 |
MRF5S21150HSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S |
تحقيق |
 |
GTVA261701FAV1R2XTMA1 |
Infineon Technologies |
GAN SIC |
تحقيق |
 |
BLF8G22LS-205VU |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.3DB SOT1239B |
تحقيق |
|
MRF5S19100HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 |
تحقيق |
|
GTVA220701FAV1R2XTMA1 |
Infineon Technologies |
GAN SIC |
تحقيق |
 |
BLC9G27LS-150AVZ |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 15DB SOT12751 |
تحقيق |
 |
PTFA091201HL V1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2 |
تحقيق |
 |
BLF7G20L-90P,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1121A |
تحقيق |
 |
BLF6G27LS-40P,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B |
تحقيق |
|
PTFA211801EV5T350XWSA1 |
Infineon Technologies |
IC RF FET LDMOS H-36260-2 |
تحقيق |
 |
PTVA123501FCV1XWSA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
 |
BLF6G10LS-200R,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V SOT502B |
تحقيق |
 |
PTVA123501ECV2XWSA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
|
A2I25H060GNR1 |
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS |
تحقيق |
 |
MRF275L |
M/A-Com Technology Solutions |
FET RF 65V 500MHZ 333-04 |
تحقيق |
 |
BLP05H6350XRY |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232 |
تحقيق |
 |
PD55035S-E |
STMicroelectronics |
FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 |
تحقيق |
|
A2T21S160-12SR3 |
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS |
تحقيق |
 |
2N5247_J35Z |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 30V TO92 |
تحقيق |
 |
BF245C_D75Z |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 30V 25MA TO92 |
تحقيق |
|
PTFA181001HL V1 R250 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 100W PG-64248-2 |
تحقيق |
 |
ARF521 |
Microsemi Corporation |
RF PWR MOSFET 500V 10A M174 |
تحقيق |
|
MRF281ZR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.93GHZ NI-200Z |
تحقيق |
 |
MRF6V2300NBR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 |
تحقيق |
 |
NE651R479A-A |
CEL |
FET RF 8V 1.9GHZ 79A |
تحقيق |
 |
MRFE6VP5600HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230 |
تحقيق |
 |
BLF145,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET NCHA 65V 27DB SOT123A |
تحقيق |
 |
BLF245B,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET 2 NC 65V 18DB SOT279A |
تحقيق |
|
BLL8H1214LS-250U |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B |
تحقيق |
 |
MRF8S21200HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230HS |
تحقيق |
 |
BF909,235 |
NXP USA Inc. |
MOSFET N-CH 7V 40MA SOT143 |
تحقيق |
|
PTAB182002FCV1R0XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC RF FET LDMOS 190W H-37248-4 |
تحقيق |
 |
MWT-173 |
Microwave Technology Inc. |
FET RF 5V 12GHZ PKG 73 |
تحقيق |
 |
BLP05H6250XRGY |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242 |
تحقيق |
 |
BLF6G38-10,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975B |
تحقيق |
 |
CGH40006P |
Cree/Wolfspeed |
FET RF 84V 6GHZ 440109 |
تحقيق |
 |
ATF-54143-BLKG |
Broadcom Limited |
FET RF 5V 2GHZ SOT-343 |
تحقيق |
 |
MRFE6S9205HR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 66V 880MHZ NI-880 |
تحقيق |
 |
MRF1535FNT1 |
NXP USA Inc. |
IC MOSFET RF N-CHAN TO272-6 |
تحقيق |
|
BLF6G27LS-50BN,118 |
NXP USA Inc. |
TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B |
تحقيق |
 |
STAC4932B |
STMicroelectronics |
TRANSISTOR RF MOSF N-CH STAC244B |
تحقيق |
|
MMRF1024HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI-1230-4 |
تحقيق |
|
BF245B_J35Z |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 30V 15MA TO92 |
تحقيق |
|
PTFA082201F V1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 |
تحقيق |
|
PTAC260302FCV1R0XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS H-37248H-4 |
تحقيق |
 |
ARF460BG |
Microsemi Corporation |
FET RF N-CH 500V 14A TO247 |
تحقيق |
|
PTFA080551FV4R0XTMA1 |
Infineon Technologies |
RF MOSFET LDMOS 28V H-37265-2 |
تحقيق |
 |
BLF8G19LS-170BV,11 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1120B |
تحقيق |
|
BF1212,215 |
NXP USA Inc. |
MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143B |
تحقيق |
