| صورة |
رقم القطعة |
مصنعين |
وصف |
رأي |
 |
A2T09VD300NR1 |
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS |
تحقيق |
 |
BLF9G24LS-230VU |
Ampleon USA Inc. |
TRANS RF 230W ACC-6 |
تحقيق |
 |
PTFB193408SVV1R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS H-34275G-6/2 |
تحقيق |
 |
PTFA142401ELV4R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 240W H-33288-2 |
تحقيق |
 |
PD85035STR1-E |
STMicroelectronics |
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
تحقيق |
|
MRF8S7170NR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 70V 748MHZ OM780-2 |
تحقيق |
|
PTFB090901EAV2R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
 |
LET9045C |
STMicroelectronics |
MOSFET N-CH 80V 9A M-250 |
تحقيق |
|
BF1215,115 |
NXP USA Inc. |
FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP |
تحقيق |
 |
MRFE6VP61K25HSR6 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S |
تحقيق |
|
PTFB241402FV1R0XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS H-37248-4-1 |
تحقيق |
 |
BF5020WE6327HTSA1 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-343 |
تحقيق |
 |
BLF6G38S-25,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 15DB SOT608B |
تحقيق |
 |
MRF6VP3091NBR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 115V 860MHZ TO272-4 |
تحقيق |
|
MRF6S9125MR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 880MHZ TO-270-4 |
تحقيق |
 |
MRF8P9040GNR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 70V 960MHZ TO-270 |
تحقيق |
 |
BLF1043,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A |
تحقيق |
|
PXFC193808SVV1R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
 |
BLF2425M7LS100U |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B |
تحقيق |
 |
MRF8VP13350NR3 |
NXP USA Inc. |
TRANS RF LDMOS 350W 50V |
تحقيق |
|
MRF8P9300HSR6 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 70V 960MHZ NI-1230HS |
تحقيق |
 |
MRF6S27050HR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 2.62GHZ NI-780 |
تحقيق |
|
MRFE6P3300HR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 66V 863MHZ NI-860C3 |
تحقيق |
 |
BLF6G13L-250P,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121A |
تحقيق |
|
MRF6V12250HSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S |
تحقيق |
 |
BLP8G21S-160PVY |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12211 |
تحقيق |
 |
NE25139-T1-U73 |
CEL |
FET RF 13V 900MHZ SOT-143 |
تحقيق |
 |
BF245B_D27Z |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 30V 15MA TO92 |
تحقيق |
 |
PD84006-E |
STMicroelectronics |
FET RF 25V 870MHZ PWRSO-10RF |
تحقيق |
 |
MRF134 |
M/A-Com Technology Solutions |
FET RF 65V 400MHZ 211-07 |
تحقيق |
|
BLF8G10LS-160,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B |
تحقيق |
|
MRF5S4140HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 465MHZ NI-780 |
تحقيق |
|
BLF7G15LS-200,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502B |
تحقيق |
 |
BLF404,115 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET NCHA 40V 11.5DB SOT409A |
تحقيق |
|
AFT21S140W02GSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.14GHZ NI-780S-2 |
تحقيق |
 |
SMMBFJ309LT1G |
ON Semiconductor |
JFET N-CH 25V 30MA SOT23 |
تحقيق |
 |
MRF1550NT1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 40V 175MHZ TO272-6 WRAP |
تحقيق |
 |
BLF8G09LS-270WU |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244B |
تحقيق |
|
MRFE6S9201HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 66V 880MHZ NI-780S |
تحقيق |
 |
MWT-A973 |
Microwave Technology Inc. |
FET RF 5V 18GHZ PKG 73 |
تحقيق |
 |
BLF178XR,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 110V 28DB SOT539A |
تحقيق |
|
PXAC260602FCV1R0XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS H-37248-4 |
تحقيق |
|
MRF9085LR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 880MHZ NI-780 |
تحقيق |
 |
CRF24010PE |
Cree/Wolfspeed |
FET RF 120V 1.95GHZ 440196 |
تحقيق |
 |
BLF8G20LS-200V,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1120B |
تحقيق |
 |
BLF6G27-135,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V SOT502A |
تحقيق |
|
PTFB213208FVV2R0XTMA1 |
Infineon Technologies |
RF MOSFET TRANSISTORS RFP-LDMOS |
تحقيق |
|
PD57060-E |
STMicroelectronics |
FET RF 65V 945MHZ PWRSO10 |
تحقيق |
|
PTAC260302FCV1R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
|
MMBFJ310LT1G |
ON Semiconductor |
JFET N-CH 25V 60MA SOT23 |
تحقيق |
