| صورة |
رقم القطعة |
مصنعين |
وصف |
رأي |
 |
PTFA041501FV4R0XTMA1 |
Infineon Technologies |
RF MOSFET LDMOS 28V H-37248-2 |
تحقيق |
 |
BG3123RE6327HTSA1 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363 |
تحقيق |
 |
BLF6G27-45,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT608A |
تحقيق |
 |
BLL6H1214L-250,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A |
تحقيق |
 |
MRF8P20140WHSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S-4 |
تحقيق |
 |
BF245C_D27Z |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 30V 25MA TO92 |
تحقيق |
 |
AFT23H200-4S2LR6 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI1230-4 |
تحقيق |
 |
BLC8G27LS-245AVZ |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12512 |
تحقيق |
|
MRF5S21100HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S |
تحقيق |
 |
BLF6H10LS-160,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 104V 20DB SOT467B |
تحقيق |
 |
MMRF1305HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 133V 512MHZ NI-780-4 |
تحقيق |
 |
RFM08U9X(TE12L,Q) |
Toshiba Semiconductor and Storage |
MOSFET N-CH PW-X |
تحقيق |
|
MRF377HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 860MHZ |
تحقيق |
 |
BF245A_J35Z |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 30V 6.5MA TO92 |
تحقيق |
 |
BLF7G27L-150P,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 16DB SOT539A |
تحقيق |
 |
NE5550234-AZ |
CEL |
FET RF 30V 900MHZ 3MINIMOLD |
تحقيق |
 |
BLF7G27L-90P,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1121A |
تحقيق |
|
BLC9G20LS-150PVZ |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V SOT12753 |
تحقيق |
|
AFT26HW050GSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780-4 |
تحقيق |
|
A2T21H360-24SR6 |
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS |
تحقيق |
|
2N5485_D75Z |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 25V 10MA TO92 |
تحقيق |
 |
BLF278/01,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET 2 NC 125V 22DB SOT262A1 |
تحقيق |
 |
MRFG35010ANR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF |
تحقيق |
|
BLF881S,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 104V 21DB SOT467B |
تحقيق |
|
BLF6G10LS-200,118 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B |
تحقيق |
 |
PD85035C |
STMicroelectronics |
FET RF 40V 945MHZ M243 |
تحقيق |
|
BG5120KE6327HTSA1 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH DUAL 8V 20MA SOT-363 |
تحقيق |
|
AFT26P100-4WSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780S-6 |
تحقيق |
|
BG3430RH6327XTSA1 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 |
تحقيق |
 |
275-101N30A-00 |
IXYS |
RF MOSFET N-CHANNEL DE275 |
تحقيق |
 |
BSS83,215 |
NXP USA Inc. |
MOSFET N-CH 10V 50MA SOT-143B |
تحقيق |
|
MRF6S21050LR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 2.16GHZ NI-400 |
تحقيق |
 |
ATF-52189-TR2 |
Broadcom Limited |
FET RF 7V 2GHZ SOT-89 |
تحقيق |
 |
MRF9045LR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 945MHZ NI-360 |
تحقيق |
 |
BLP10H610AZ |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN |
تحقيق |
 |
SD4933MR |
STMicroelectronics |
TRANSISTOR RF MOSFET N-CH M177 |
تحقيق |
 |
SHF-0289 |
RFMD |
FET RF 9V 1.96GHZ SOT-89 |
تحقيق |
|
BF245A_D75Z |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 30V 6.5MA TO92 |
تحقيق |
 |
MRF8P9300HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 70V 960MHZ NI-1230HS |
تحقيق |
|
PTRA093302DC V1 R250 |
Infineon Technologies |
IC RF FET LDMOS 330W H-49248H-4 |
تحقيق |
 |
VMMK-1218-BLKG |
Broadcom Limited |
FET RF 5V 10GHZ 0402 |
تحقيق |
 |
ATF-58143-TR1G |
Broadcom Limited |
FET RF 5V 2GHZ SOT-343 |
تحقيق |
|
J212 |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 25V 40MA TO92 |
تحقيق |
 |
PTFA212001F1V4R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC RF POWER TRANSISTOR |
تحقيق |
 |
PD55015S-E |
STMicroelectronics |
FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 |
تحقيق |
 |
MRFG35005ANT1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5 |
تحقيق |
 |
SD3931-10 |
STMicroelectronics |
IC RF PWR TRANS HF/VHF/UHF M174 |
تحقيق |
|
PTFA181001FV4XWSA1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2 |
تحقيق |
|
PTFB183404EV1R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
|
BLF7G20L-200,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A |
تحقيق |
