| صورة |
رقم القطعة |
مصنعين |
وصف |
رأي |
 |
NE34018-T1 |
CEL |
FET RF 4V 2GHZ SOT-343 |
تحقيق |
 |
PTFC210202FCV1XWSA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
 |
BLC9G20LS-120VY |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT12753 |
تحقيق |
 |
BLF8G24LS-150VJ |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244B |
تحقيق |
 |
MRF5S19090HSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S |
تحقيق |
 |
SD2931-10 |
STMicroelectronics |
TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M174 |
تحقيق |
 |
BLF182XRSU |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B |
تحقيق |
 |
BF245B,126 |
NXP USA Inc. |
JFET N-CH 30V 15MA TO92 |
تحقيق |
|
MRF7S18125AHSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.88GHZ NI780S |
تحقيق |
 |
BLF6G27-10G,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C |
تحقيق |
 |
BLF6G20LS-140,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B |
تحقيق |
|
MRF8S19140HSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.96GHZ NI780HS |
تحقيق |
 |
STAC2942FW |
STMicroelectronics |
TRANS RF PWR N-CH 350W STAC244B |
تحقيق |
|
BLF7G27LS-140,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B |
تحقيق |
 |
MRF6VP41KHR7 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 110V 450MHZ NI-1230 |
تحقيق |
 |
MRFG35003ANT1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5 |
تحقيق |
 |
NE5550779A-T1-A |
CEL |
FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG |
تحقيق |
 |
ATF-551M4-TR2 |
Broadcom Limited |
IC PHEMT 2GHZ 2.7V 10MA MINIPAK |
تحقيق |
|
MRF5S4140HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 465MHZ NI-780S |
تحقيق |
 |
BF510,215 |
NXP USA Inc. |
JFET N-CH 20V 30MA SOT23 |
تحقيق |
 |
MMRF1308HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 133V 230MHZ |
تحقيق |
|
BF1207,115 |
NXP USA Inc. |
FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP |
تحقيق |
 |
PD55008STR-E |
STMicroelectronics |
FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 |
تحقيق |
 |
BLS6G2735LS-30,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 60V 13DB SOT1135B |
تحقيق |
|
PTRA093302DC V1 |
Infineon Technologies |
IC RF FET LDMOS 330W H-49248H-4 |
تحقيق |
 |
MRF5S9101NBR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 960MHZ TO-272-4 |
تحقيق |
 |
BLF8G24L-200P,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539A |
تحقيق |
 |
SMMBFJ310LT1G |
ON Semiconductor |
JFET N-CH 25V 10MA SOT23 |
تحقيق |
 |
CGH55030F2 |
Cree/Wolfspeed |
FET RF 84V 6GHZ 440166 |
تحقيق |
|
PTFB090901FAV2R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
|
BF904WR,135 |
NXP USA Inc. |
MOSFET N-CH 7V 30MA SOT343 |
تحقيق |
 |
MRF5S9100MR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 880MHZ TO-270-4 |
تحقيق |
 |
BLF9G24LS-150VJ |
Ampleon USA Inc. |
TRANS RF 150W ACC-6 |
تحقيق |
 |
BLF6G27L-50BN,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 16DB SOT1112A |
تحقيق |
 |
PD55008L-E |
STMicroelectronics |
TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT |
تحقيق |
|
SMMBFJ310LT3G |
ON Semiconductor |
JFET N-CH 25V 10MA SOT23 |
تحقيق |
|
MRFE6VP5600HR6 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230 |
تحقيق |
|
MRF6S9045MR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 880MHZ TO-270-2 |
تحقيق |
|
MRF6VP41KHSR7 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 110V 450MHZ NI1230S |
تحقيق |
 |
BLF8G24LS-200PNJ |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B |
تحقيق |
|
MRF18085ALSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.88GHZ NI-780S |
تحقيق |
|
MRF7S19080HSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S |
تحقيق |
|
AFT18S230SR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.88GHZ NI780S-6 |
تحقيق |
 |
NE3514S02-A |
CEL |
HJ-FET NCH 10DB S02 |
تحقيق |
 |
PD57006TR-E |
STMicroelectronics |
TRANSISTOR RF POWERSO-10 |
تحقيق |
|
MRF7S18125BHSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.93GHZ NI780 |
تحقيق |
 |
MAGX-002731-180L00 |
M/A-Com Technology Solutions |
FETS RF GAN HEMT 180W 2.7-3.1GHZ |
تحقيق |
|
MRF7S19080HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S |
تحقيق |
|
PD54003L-E |
STMicroelectronics |
TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT |
تحقيق |
 |
CGHV31500F |
Cree/Wolfspeed |
FET RF 125V 24A 440217 |
تحقيق |
