| صورة |
رقم القطعة |
مصنعين |
وصف |
رأي |
 |
MMRF2005NR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 940MHZ |
تحقيق |
 |
BF2030WE6814BTSA1 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-343 |
تحقيق |
 |
ON5250/A,135 |
NXP USA Inc. |
MOSFET RF SOT223 SC-73 |
تحقيق |
 |
BLF2425M7L100J |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A |
تحقيق |
 |
BLF8G27LS-140,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B |
تحقيق |
 |
CGHV60170D |
Cree/Wolfspeed |
RF MOSFET HEMT 50V DIE |
تحقيق |
 |
MMBFJ309LT1G |
ON Semiconductor |
JFET N-CH 25V 30MA SOT23 |
تحقيق |
 |
BLF7G22LS-250P,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539B |
تحقيق |
 |
275X2-501N16A-00 |
IXYS |
RF MOSFET 2N-CHANNEL DE275 |
تحقيق |
 |
MRF6S27085HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 2.66GHZ NI-780S |
تحقيق |
 |
BLA6G1011L-200RG,1 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502D |
تحقيق |
 |
BLF8G20LS-400PVJ |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242B |
تحقيق |
 |
AFT05MP075GNR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 40V 520MHZ TO270-4 |
تحقيق |
 |
ON5157,127 |
NXP USA Inc. |
MOSFET RF TO220AB TO220AB |
تحقيق |
 |
SHF-0289Z |
RFMD |
FET RF 9V 1.96GHZ SOT-89 |
تحقيق |
 |
SD2933-03 |
STMicroelectronics |
TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M177 |
تحقيق |
 |
BLF8G09LS-270WJ |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244B |
تحقيق |
 |
MRFE6VS25LR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 133V 512MHZ NI360L |
تحقيق |
 |
PTFB191501EV1XWSA1 |
Infineon Technologies |
FET RF LDMOS 150W H36248-2 |
تحقيق |
 |
CGHV27030S |
Cree/Wolfspeed |
RF MOSFET HEMT 50V 12VFDFN |
تحقيق |
 |
AFV141KGSR5 |
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS |
تحقيق |
 |
BLF8G22LS-270V,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244B |
تحقيق |
 |
NE3510M04-A |
CEL |
FET RF 4V 4GHZ M04 |
تحقيق |
 |
PD54008L-E |
STMicroelectronics |
TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT |
تحقيق |
|
MRF6P9220HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 880MHZ NI-860C3 |
تحقيق |
 |
ARF463AG |
Microsemi Corporation |
RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247 |
تحقيق |
 |
BLF879P,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A |
تحقيق |
 |
MRFG35003MT1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLD |
تحقيق |
 |
BLF8G27LS-100GVJ |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244C |
تحقيق |
 |
PTVA030121EAV1XWSA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
|
MRF6S19120HSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 1.99GHZ NI-780S |
تحقيق |
 |
PTF080101S V1 |
Infineon Technologies |
FET RF 65V 960MHZ H-32259-2 |
تحقيق |
 |
MRF6S21140HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 2.12GHZ NI-880 |
تحقيق |
|
BLF188XRSU |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 135V 24.4DB SOT539B |
تحقيق |
 |
CGHV27060MP |
Cree/Wolfspeed |
IC HEMT TRANS 60W 50V 2700MZ |
تحقيق |
|
PTFC270051MV2R1KXUMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
 |
BF513,215 |
NXP USA Inc. |
JFET N-CH 20V 30MA SOT23 |
تحقيق |
|
BF545A,215 |
NXP USA Inc. |
JFET N-CH 30V 6.5MA SOT23 |
تحقيق |
|
BLF6G10-160RN,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A |
تحقيق |
 |
MRF5S9101MBR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 960MHZ TO2724 |
تحقيق |
 |
BLC2425M8LS300PZ |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12501 |
تحقيق |
 |
MRF7S21080HR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 |
تحقيق |
 |
BLL8H0514-25U |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 100V 21DB SOT467C |
تحقيق |
 |
BLF346,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET NCHA 65V 16DB SOT119A |
تحقيق |
 |
NPT1007B |
M/A-Com Technology Solutions |
TRANSISTOR GAN DC-1200MHZ 200W |
تحقيق |
|
A2T18H450W19SR6 |
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS |
تحقيق |
 |
PTF210451F V1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 45W H-31265-2 |
تحقيق |
 |
PD20010STR-E |
STMicroelectronics |
TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR |
تحقيق |
|
AFT21S220W02SR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.14GHZ NI-780S |
تحقيق |
 |
MAGX-001220-100L00 |
M/A-Com Technology Solutions |
TRANSISTOR GAN 100W 1.2-2.0GHZ |
تحقيق |
