| صورة |
رقم القطعة |
مصنعين |
وصف |
رأي |
 |
BLF578,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 110V 24DB SOT539A |
تحقيق |
 |
NE5531079A-T1A-A |
CEL |
FET RF 30V 460MHZ 79A |
تحقيق |
 |
MAGX-000035-09000P |
M/A-Com Technology Solutions |
FET RF 65V 3.5GHZ 14DFN |
تحقيق |
 |
BLF6G22-45,135 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT608A |
تحقيق |
 |
CGHV22200F |
Cree/Wolfspeed |
FET RF 125V 2.2GHZ 440162 |
تحقيق |
 |
BLF8G10LS-270V,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244B |
تحقيق |
 |
BF1105WR,115 |
NXP USA Inc. |
MOSFET N-CH 7V DUAL SOT343R |
تحقيق |
 |
150-102N02A-00 |
IXYS |
RF MOSFET N-CHANNEL DE150 |
تحقيق |
|
BLF3G22-30,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 14DB SOT608A |
تحقيق |
 |
PTFA043002E V1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 300W H-30275-4 |
تحقيق |
 |
MRF6V2010GNR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 110V 220MHZ TO-270-2 |
تحقيق |
 |
UF28150J |
M/A-Com Technology Solutions |
MOSFET 150W 28V 100-500MHZ |
تحقيق |
 |
BLF7G22L-160,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A |
تحقيق |
 |
PD85035STR-E |
STMicroelectronics |
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
تحقيق |
|
BLF7G24L-160P,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539A |
تحقيق |
 |
BLF6G10LS-160RN,11 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B |
تحقيق |
|
BLL8H1214L-250U |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A |
تحقيق |
|
BLF573,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502A |
تحقيق |
 |
PN5033 |
Central Semiconductor Corp |
TRANSISTOR PNP TH |
تحقيق |
 |
J210 |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 25V 15MA TO92 |
تحقيق |
 |
BLF7G20LS-90P,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1121B |
تحقيق |
|
MRF7S16150HSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.66GHZ NI-780S |
تحقيق |
 |
MRF7S21210HR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 |
تحقيق |
 |
CLF1G0035S-100,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET HEMT 150V 12DB SOT467B |
تحقيق |
 |
MRF6P18190HR6 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 1.88GHZ NI-1230 |
تحقيق |
 |
PTVA030121EAV1R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
|
PTFA190451EV4XWSA1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 45W H-36265-2 |
تحقيق |
 |
PTFB183404FV2R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
|
BLF6G24-180PN,112 |
NXP USA Inc. |
TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539A |
تحقيق |
|
BF1202WR,115 |
NXP USA Inc. |
MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R |
تحقيق |
 |
AFV09P350-04NR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 105V 920MHZ OM780-4 |
تحقيق |
 |
BLC8G24LS-241AVZ |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12521 |
تحقيق |
|
MRF19030LSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.96GHZ NI-400S |
تحقيق |
 |
BLF9G24LS-150VU |
Ampleon USA Inc. |
TRANS RF 150W ACC-6 |
تحقيق |
|
MRFE6VP6600GNR3 |
NXP USA Inc. |
TRANS RF LDMOS 600W 50V |
تحقيق |
|
MRF5S19150HSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S |
تحقيق |
|
AFT20P060-4NR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.17GHZ OM780-4 |
تحقيق |
|
BF 5020 E6327 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 8V 25MA SOT143-4 |
تحقيق |
|
BF1214,115 |
NXP USA Inc. |
FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP |
تحقيق |
|
PTFB082817FHV1XWSA1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS H-34288 |
تحقيق |
|
MRF5S21100HSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S |
تحقيق |
 |
BLM7G1822S-40ABY |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12112 |
تحقيق |
 |
ARF475FL |
Microsemi Corporation |
RF PWR MOSFET 500V 10A |
تحقيق |
|
PTFB092707FHV1R0XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS H-37288L-4 |
تحقيق |
|
BLF7G20LS-90P,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1121B |
تحقيق |
|
AFT18S230-12NR3 |
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS |
تحقيق |
 |
MRF148A |
M/A-Com Technology Solutions |
FET RF 120V 175MHZ 211-07 |
تحقيق |
|
ATF-34143-TR1G |
Broadcom Limited |
FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343 |
تحقيق |
 |
MRF6V2150NBR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 |
تحقيق |
 |
BLF3G21-30,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 13.5DB SOT467C |
تحقيق |
